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主要起草單位:南京電子器件研究所 。 2100433B
1999年8月2日,《半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范》發(fā)布。
2000年3月1日,《半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范》實(shí)施。
單極型晶體管屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,即場(chǎng)效應(yīng)晶體管。特點(diǎn):具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率...
二極管的基本特性就是單向?qū)щ娦?。檢修測(cè)量時(shí)通過兩個(gè)方向的截止和導(dǎo)通情況來判斷是否損壞。二極管的主要參數(shù)有反向電壓、持續(xù)正向電流、正向?qū)妷骸⒑纳⒐β屎头聪蚧謴?fù)時(shí)間(決定適用工作頻率)。不同型號(hào)的二極...
半導(dǎo)體元器件(semiconductor device)通常,這些半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化鎵,可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測(cè)光器等器材。為了與集成電路相區(qū)別,有時(shí)也稱為分立器件。絕大部分二端...
電力半導(dǎo)體器件
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頁(yè)數(shù): 10頁(yè)
電力半導(dǎo)體器件
用于半導(dǎo)體器件熱超聲球焊的鋁絲
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在與金絲焊接使用的機(jī)器相當(dāng)?shù)囊€焊接機(jī)上進(jìn)行了鋁絲熱超聲球焊實(shí)驗(yàn)。工業(yè)上作出的努力成功地改進(jìn)了鋁絲球焊機(jī),相對(duì)來說,對(duì)優(yōu)選金屬細(xì)絲還注意不夠。此文報(bào)道了實(shí)驗(yàn)中得到的拉力試驗(yàn)數(shù)據(jù)和金相檢驗(yàn)結(jié)果。實(shí)驗(yàn)中,五種鋁合金細(xì)絲被短暫地置于高溫下。這樣處理是想模擬電火花熄滅時(shí)直接在球上加熱的金屬細(xì)絲情況。并提出了一個(gè)解釋鋁球形成機(jī)理的新的物理模型,還提出了證據(jù)以證實(shí)其似乎是合理的。此報(bào)告中的資料表明了鋁球金屬細(xì)絲的發(fā)展方向。
目前,中國(guó)的半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)已經(jīng)在國(guó)際市場(chǎng)占有舉足輕重的地位并保持著持續(xù)、快速、穩(wěn)定的發(fā)展。隨著電子整機(jī)、消費(fèi)類電子產(chǎn)品等市場(chǎng)的持續(xù)升溫,半導(dǎo)體分立器件仍有很大的發(fā)展空間,因此,有關(guān)SIC基、GSN基以及封裝等新技術(shù)新工藝的發(fā)展,新型分立器件在汽車電子、節(jié)能照明等熱點(diǎn)領(lǐng)域的應(yīng)用前景等成了廣受關(guān)注的問題。當(dāng)前全球分立器件市場(chǎng)總體保持穩(wěn)步向上,而亞洲地區(qū)特別是中國(guó)市場(chǎng)表現(xiàn)猶為顯眼。雖然受金融危機(jī)和行業(yè)周期性調(diào)整的影響,目前半導(dǎo)體分立器件行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展處于低迷時(shí)期,但前景依然美好。從發(fā)展趨勢(shì)看,無論是全球還是中國(guó),分立器件在電子信息產(chǎn)品制造業(yè)中銷售額度所占比例正在逐步下降,分立器件產(chǎn)量和產(chǎn)值的增長(zhǎng)速率要低于整機(jī)系統(tǒng)的增長(zhǎng)速率。另一方面,整機(jī)系統(tǒng)的快速發(fā)展,也為分立器件行業(yè)提供了新的市場(chǎng)商機(jī)。特別是全球電子整機(jī)對(duì)節(jié)能、環(huán)保需求的不斷增長(zhǎng),這一方面帶動(dòng)了分立器件產(chǎn)品的需求增長(zhǎng),另一方面也帶動(dòng)了市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的快速升級(jí)。整機(jī)系統(tǒng)進(jìn)一步向小型化、集成化方向發(fā)展的趨勢(shì),對(duì)分立器件也提出了新的要求,片式貼裝器件已經(jīng)成為行業(yè)發(fā)展的主流。中國(guó)企業(yè)要想在未來市場(chǎng)中競(jìng)爭(zhēng)中掌握主動(dòng)權(quán),必須加強(qiáng)原始創(chuàng)新、集成創(chuàng)新和引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新。
半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的不斷加劇,大型半導(dǎo)體分立器件制造企業(yè)間并購(gòu)整合與資本運(yùn)作日趨頻繁,國(guó)內(nèi)優(yōu)秀的半導(dǎo)體分立器件制造企業(yè)愈來愈重視對(duì)行業(yè)市場(chǎng)的研究,特別是對(duì)企業(yè)發(fā)展環(huán)境和客戶需求趨勢(shì)變化的深入研究。
2010年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將較上年同期低迷的水平實(shí)現(xiàn)有史以來最大規(guī)模的增長(zhǎng),這主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增長(zhǎng)。2010年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)2910億美元,同比增長(zhǎng)約30%;2011年規(guī)模為3079億美元,同比增長(zhǎng)5.8%。這一切要?dú)w功于殺手級(jí)產(chǎn)品,如智能手機(jī)、平板電腦、電子書及游戲機(jī)等終端電子產(chǎn)品的推動(dòng),以及實(shí)際上半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是受2008與2009年的兩年下降,而積聚的向上能量。全球DRAM市場(chǎng)總體供過于求狀況持續(xù)加劇,2011年全球DRAM市場(chǎng)位元產(chǎn)能將增長(zhǎng)58.7%,高于需求增速31.5個(gè)百分點(diǎn),過剩產(chǎn)能占比達(dá)28.2%。中國(guó)2012年LED市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)605億元,2008-2012年年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)34%。至2015年LED芯片自給率將達(dá)70%。2010年1-11月國(guó)內(nèi)元器件各細(xì)分產(chǎn)品PCB、電容、電阻、電感器件、電聲器件、磁材料及器件、電接插元件出口同比增長(zhǎng)分別為32.74%、44.62%、41.30%、54.31%、36.04%、43.75%、39.59%。
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中有兩大分支:集成電路和分立器件。