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設計了一款55V N溝道溝槽型功率器件。通過對元胞與邊端進行理論分析,結合實際工藝,對元胞與邊端進行合理優(yōu)化。通過對流片測試數(shù)據(jù)的分析,最終實現(xiàn)擊穿電壓為69.562V、閾值電壓2.85V、特征導通電阻537.8 mΩ·cm2的功率器件設計。仿真與流片的擊穿電壓偏差1.5%、閾值電壓偏差2.4%、導通電阻偏差0.83%,器件具有較高的可靠性。
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