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更新時間:2024.12.28
多芯片半導體激光器光纖耦合設計

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應用ZEMAX光學設計軟件模擬了一種多芯片半導體激光器光纖耦合模塊,將12支808nm單芯片半導體激光器輸出光束耦合進數(shù)值孔徑0.22、纖芯直徑105μm的光纖中,每支半導體激光器功率10 W,光纖輸出端面功率達到116.84W,光纖耦合效率達到97.36%,亮度達到8.88MW/(cm2·sr)。通過ZEMAX和ORIGIN軟件分析了光纖對接出現(xiàn)誤差以及單芯片半導體激光器安裝出現(xiàn)誤差時對光纖耦合效率的影響,得出誤差對光纖耦合效率影響的嚴重程度從大到小分別為垂軸誤差、軸向誤差、角向誤差。

半導體激光器P-I特性測試

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實驗一 半導體激光器 P-I 特性測試實驗 一、 實驗目的 1.學習半導體激光器發(fā)光原理和光纖通信中激光光源工作原理 2.了解半導體激光器平均輸出光功率與注入驅動電流的關系 3.掌握半導體激光器 P(平均發(fā)送光功率) -I(注入電流)曲線的測試方法 二、 實驗儀器 1. ZY12OFCom13BG 型光纖通信原理實驗箱 1 臺 2.光功率計 1 臺 3. FC/PC-FC/PC 單模光跳線 1 根 4.萬用表 1 臺 5.連接導線 20 根 三、 實驗原理 半導體激光二極管( LD)或簡稱半導體激光器,它通過受激輻射發(fā)光, (處于高 能級 E2的電子在光場的感應下發(fā)射一個和感應光子一模一樣的光子, 而躍遷到低能級 E1,這個過程稱為光的受激輻射,所謂一模一樣,是指發(fā)射光子和感應光子不僅頻率 相同,而且相位、偏振方向和傳播方向都相同,它和感應光子是相干的。 )是一種閾 值器件。由于受激輻射與

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