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更新時(shí)間：2025.05.17
超薄磁性材料有望用于開(kāi)發(fā)新型存儲(chǔ)設(shè)備

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美國(guó)一個(gè)科研團(tuán)隊(duì)基于二維磁體三碘化鉻開(kāi)發(fā)出了超薄磁性材料,有望用于研制新型存儲(chǔ)設(shè)備,從而大幅提高信息存儲(chǔ)密度并減少能量耗損。發(fā)表在最新一期美國(guó)《科學(xué)》雜志上的研究顯示,研究人員利用新型二維磁性材料三碘化鉻,可基于"電子自旋"對(duì)電子流動(dòng)進(jìn)行調(diào)控,從而實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)信息。華盛頓大學(xué)許曉棟研究組和麻省理工學(xué)院團(tuán)隊(duì)在2017年利用三碘化鉻首次制出二維磁體。所謂二維磁體

無(wú)錫市建設(shè)局存儲(chǔ)設(shè)備配置

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無(wú)錫市建設(shè)局存儲(chǔ)設(shè)備配置 1、數(shù)據(jù)整合管理服務(wù)器；數(shù)量： 1套 項(xiàng)目 配置 型號(hào)要求 與光纖磁盤(pán)存儲(chǔ)陣列相同廠家提供 機(jī)箱外形及安裝 機(jī)架式機(jī)型 2U, 自帶可滑動(dòng)快速 /通用導(dǎo)軌。 ★處理器 主頻 45 納米 Intel 至強(qiáng) E5420四核處理器， 2.50GHz；支持 EM64T技術(shù) 配置 配置 2 個(gè) 對(duì)稱(chēng)多處理 擴(kuò)展性 最大 2 個(gè) 對(duì)稱(chēng)多處理 L2 高速緩存 2*6MB L2 cache ★ 體系 結(jié)構(gòu) 前端總線 1333MHz ★內(nèi)存 內(nèi)存類(lèi)型及配置 ECC DDR2 FBD 667MHz SDRAM 配置 4GB(2*2048MB) 擴(kuò)展性 最大可配置≥ 64GB ★存儲(chǔ) 控制器 SAS 3.0Gb/s Raid 控制器 ;SAS6i/R( 標(biāo)配 );4 端口 SAS控制器 ; 陣列控制器配置 標(biāo)配集成高性能磁盤(pán)陣列卡 ; 支持 RAID6；緩存可升級(jí)至 51

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存儲(chǔ)設(shè)備有哪些

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