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互補(bǔ)金屬氧化硅(complementary metal oxide silicon,簡稱CMOS)X射線圖形探頭誕生,該產(chǎn)品的技術(shù)專利來自美國NASA宇航中心噴氣推進(jìn)室。上海市特種設(shè)備監(jiān)督檢驗(yàn)技術(shù)研究院在2004年引進(jìn)該項(xiàng)設(shè)備,并開展CMOS X射線實(shí)時(shí)成像系統(tǒng)在薄壁承壓設(shè)備檢驗(yàn)檢測領(lǐng)域的技術(shù)開發(fā)、研究和應(yīng)用。
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8管道施工及驗(yàn)收 規(guī)范 8.1 綜合性施工及驗(yàn)收規(guī)范 8.2 管道分類(級) 8.2.1 SH3501-2002管道分級 8.2.2 HG20225-95 管道分級 8.2.3 GB50235-97 8.3 焊接接頭射線檢測 要求 8.3.1 SH3501-2002焊接接頭射線檢測要求 8.3.2 HG20225-1995焊接接頭射線檢測要求 8.3.3 GB50235-97焊接接頭射線檢測要求 8.3.4 SH3501、HG 20225、GB50235 的比較 8.4 管道的壓力及密封 試驗(yàn) 8.4.1 管道液體試驗(yàn)壓力和氣體試驗(yàn)壓力 8.4.2 密封試驗(yàn) 8.5 施工驗(yàn)收規(guī)范的適用范圍 8施工及驗(yàn)收規(guī)范 8.1 綜合性施工及驗(yàn)收規(guī)范 GB50235-97 工業(yè)金屬管道 工程施工及驗(yàn)收規(guī)范 GB50236-98 現(xiàn)場設(shè)備、工業(yè)管道焊接工程施工及驗(yàn)收規(guī)范 SH3501-200