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LED 制造工藝流程及細(xì)節(jié) 隨著 20世紀(jì) 90年代 , 人類對氮化物 LED 的發(fā)明 ,LED 的效率有了非常快的發(fā) 展 . 隨著相關(guān)技術(shù)的 發(fā)展 , 不久的未來 LED 會代替現(xiàn)有的照明燈泡 . 近幾年人們制 造 LED 芯片過程中首先在襯底上制作氮 化鎵 (GaN基的外延片 , 外延片所需的材 料源 (碳化硅 SiC 和各種高純的氣體如氫氣 H2或氬氣 Ar 等惰 性氣體作載體之后 , 按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好 . 接下來是對 LED-PN 結(jié)的兩個電極進(jìn)行 加工 , 并對 LED 毛片進(jìn)行減薄 , 劃片 . 然后對毛片進(jìn)行測試和分選 , 就可以得到所 需的 LED 芯片 . 由于制作 LED 芯片設(shè)備的造價都比較昂貴 , 同時也是生產(chǎn)的一個 投資重點(diǎn) , 具體的工藝做法 , 不作詳細(xì)的說明 . 下 面簡單介