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多線切割是當前硅太陽能電池片生產的主要工藝。在線切割過程中約有1/2的晶體硅成為鋸屑進入到切割砂漿。砂漿中的各種污染物并未進入高純硅屑晶體內部,因此可以期望通過物理分離、清洗等技術來提取獲得高純硅粉,而不需要通過高耗能的高溫化學或相變過程。綜述了硅片線切割過程、硅屑形成及廢砂漿特性,評述了從線切割廢砂漿中回收高純硅粉的研究現狀和進展,包括本研究組近期的研究結果。
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在直徑300 mm Si片制備中,利用雙面磨削技術能為后續(xù)加工提供高精度的表面,但Si片損傷層厚度較大。通過掃描電子顯微鏡和透射電子顯微鏡對Si片表面及截面進行觀察,得到了經不同粒徑的砂輪磨削后的Si片的表面及截面形貌、Si片的表面及亞表面損傷層的厚度并進行了分析比較。結果表明,用粒度更小的3000#砂輪磨削,能夠有效地降低Si片表面及亞表面損傷層的厚度,為優(yōu)化300 mm單晶Si片雙面磨削工藝、提高Si片表面磨削質量提供了清晰、量化的實驗理論依據。
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