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更新時(shí)間：2025.03.15
太陽(yáng)能電池硅片線鋸砂漿中硅屑的回收技術(shù)研究

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多線切割是當(dāng)前硅太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)的主要工藝。在線切割過(guò)程中約有1/2的晶體硅成為鋸屑進(jìn)入到切割砂漿。砂漿中的各種污染物并未進(jìn)入高純硅屑晶體內(nèi)部,因此可以期望通過(guò)物理分離、清洗等技術(shù)來(lái)提取獲得高純硅粉,而不需要通過(guò)高耗能的高溫化學(xué)或相變過(guò)程。綜述了硅片線切割過(guò)程、硅屑形成及廢砂漿特性,評(píng)述了從線切割廢砂漿中回收高純硅粉的研究現(xiàn)狀和進(jìn)展,包括本研究組近期的研究結(jié)果。

Si片磨削中砂輪粒徑對(duì)Si片損傷層的影響

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在直徑300 mm Si片制備中,利用雙面磨削技術(shù)能為后續(xù)加工提供高精度的表面,但Si片損傷層厚度較大。通過(guò)掃描電子顯微鏡和透射電子顯微鏡對(duì)Si片表面及截面進(jìn)行觀察,得到了經(jīng)不同粒徑的砂輪磨削后的Si片的表面及截面形貌、Si片的表面及亞表面損傷層的厚度并進(jìn)行了分析比較。結(jié)果表明,用粒度更小的3000#砂輪磨削,能夠有效地降低Si片表面及亞表面損傷層的厚度,為優(yōu)化300 mm單晶Si片雙面磨削工藝、提高Si片表面磨削質(zhì)量提供了清晰、量化的實(shí)驗(yàn)理論依據(jù)。

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