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設計了一種采用金屬支架直接導熱的大功率紅外發(fā)光二極管封裝結構。該封裝結構通過增加芯片底部金屬座的厚度和尺寸,有效改善了散熱性能,降低了封裝熱阻。實驗測量表明,大功率紅外發(fā)光二極管峰值波長為850nm,發(fā)光束角10°,典型輸入功率為0.5W,最大輸入功率可以達到2W以上,最大電光轉換效率可達37.82%,最大輻射功率達到415.25mW。
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LED發(fā)光二極管 半導體發(fā)光器件包括半導體發(fā)光二極管(簡稱 LED)、數(shù)碼管、符號管、米字管及點陣式 顯示屏(簡稱矩陣管)等。事實上,數(shù)碼管、符號管、米字管及矩陣管中的每個發(fā)光單 元都是一個發(fā)光二極管。 一、 半導體發(fā)光二極管工作原理、特性及應用 (一) LED發(fā)光原理 發(fā)光二極管是由Ⅲ -Ⅳ族化合物,如 GaAs(砷化鎵)、 GaP(磷化鎵)、GaAsP(磷砷 化鎵)等半導體制成的,其核心是 PN結。因此它具有一般 P-N結的 I-N 特性,即正向導 通,反向 截止、擊穿特性。此外,在一定條件下,它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下, 電子由 N區(qū)注入 P區(qū),空穴由 P區(qū)注入 N區(qū)。進入對方區(qū)域的少數(shù)載流子(少子)一部 分與多數(shù)載流子(多子)復合而發(fā)光,如圖 1所示。 假設發(fā)光是在 P區(qū)中發(fā)生的,那么注入的電子與價帶空穴直接復合而發(fā)光,或者先被發(fā) 光中心捕獲后,再與空穴復合發(fā)光。 除了這種發(fā)光
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