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基于STM32微控制器的數(shù)控穩(wěn)壓穩(wěn)流電源設(shè)計(jì)_楊偉明

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第 27卷 第 5期 2012 年 10月 天津科技大學(xué)學(xué)報(bào) Journal of Tianjin University of Science & Technology Vol. 27 No. 5 Oct. 2012 收稿日期： 2012 – 02– 16；修回日期：2012 – 06– 12 基金項(xiàng)目 ：天津科技大學(xué)實(shí)驗(yàn)室開放基金 ( 1102A206)；天津科技大學(xué)科學(xué)研究基金 ( 20110123) 作者簡(jiǎn)介： 楊偉明（ 1980 —），男，山東鄆城人，實(shí)驗(yàn)師，yangwm@tust.edu.cn. 基于 STM32 微控制器的數(shù)控穩(wěn)壓穩(wěn)流電源設(shè)計(jì) 楊偉明，劉全璽，劉成臣，劉玉良 (天津科技大學(xué)電子信息與自動(dòng)化學(xué)院，天津 300222 ) 摘 要：基于 STM32 微控制器設(shè)計(jì)了數(shù)控穩(wěn)壓穩(wěn)流電源 ．該電源由數(shù)控模塊 、穩(wěn)壓穩(wěn)流調(diào)整模塊與 LCD 顯示模塊組 成，采用 S

高穩(wěn)定度大功率脈沖穩(wěn)流電源

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高穩(wěn)定度大功率脈沖穩(wěn)流電源 核工業(yè)西南物理研究院孫孟大王德泰（成都 610041） 國(guó)營(yíng)第 772 廠葉是杰（南京 210009） 摘要：介紹 HL－1M 中性束注入器（ NBI）偏轉(zhuǎn)磁鐵上用的一種脈沖可調(diào)高穩(wěn)定度穩(wěn)流電源。 采用的方案是晶閘管三相橋式移相控制和巨型晶體管（ GTR）串聯(lián)調(diào)整兩個(gè)控制環(huán)聯(lián)合控制 的方法。文中簡(jiǎn)述了該電源的控制原理、技術(shù)性能及采用的一些特殊措施。 關(guān)鍵詞：穩(wěn)流電源 GTR 調(diào)整管 1引言 由于中性束注入器要求磁場(chǎng)恒定，故要求電源提供的負(fù)載電流恒定不變。無(wú)論是穩(wěn)態(tài)還 是脈沖工作的離子源，工作磁場(chǎng)一般都是穩(wěn)定的，還要求有較好的電流穩(wěn)定度，一般要求優(yōu) 于（0.1～1）％，要求更高的則為（ 0.01～0.1）％，電流應(yīng)有適當(dāng)?shù)恼{(diào)節(jié)范圍，并要有開路 過(guò)壓保護(hù)措施。根據(jù)需要，本電源要求穩(wěn)定度為 0.1％。 圖 1系統(tǒng)方框圖 電源技術(shù)指標(biāo)為： 輸出脈沖直流電壓為 30V～8

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