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擴聲系統(tǒng)的增益結(jié)構(gòu) ——設(shè)置擴聲系統(tǒng)增益結(jié)構(gòu)的注意事項與方法 作者： John Murray 作者單位： ProSonic Solution 目 錄 第一節(jié) 引言 第二節(jié) 參考級的概念 2.1 分貝 2.2 電子學(xué)中的分貝參考量 第三節(jié) 峰值電平，均方電平及 音量表電平 3.1 峰值電平 3.2 均方根值電平 3.3 音量表電平 第四節(jié) 設(shè)置信號流的增益結(jié)構(gòu) 4.1 準(zhǔn)備工作 4.2 使用振蕩器和示波器進(jìn)行調(diào)整 4.3 電子分頻器及壓縮器 /限幅器的調(diào)整 4.4 功率放大器的調(diào)整 4.5 分頻網(wǎng)絡(luò)低驅(qū)動電平選項 4.5 更高均值 /峰值比與更小的動態(tài)范圍選項 第五節(jié) 調(diào)音臺的增益設(shè)置 5.1 基本原則 5.2 初步調(diào)整（初步設(shè)置） 5.3 技術(shù)優(yōu)化方法 5.4 易于理解的方法 第六節(jié) 參考書目 第一節(jié) 引言 對于一個擴聲系統(tǒng)來說， 合理的增益結(jié)構(gòu)是不可或缺的， 尤其是當(dāng)系統(tǒng)中采 用了當(dāng)
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對影響微波硅功率雙極型晶體管脈沖波形頂降、頂升和增益壓縮特性的器件設(shè)計、工藝和使用因素進(jìn)行了分析。脈沖頂降的本質(zhì)原因是結(jié)溫上升,結(jié)溫又同芯片特性、內(nèi)匹配電路與芯片鍵合一致性密切相關(guān);脈沖頂降還與器件在電路中的工作狀態(tài)相關(guān)。脈沖頂升主要是與肖特基勢壘接觸和較低的器件工作溫度有關(guān);影響增益壓縮的主要原因是電流飽和與電壓飽和,其次還與基區(qū)寬變效應(yīng)、大注入效應(yīng)和工作狀態(tài)等因素相關(guān)。從器件設(shè)計、工藝和電路應(yīng)用等方面提出了改進(jìn)器件脈沖頂降和增益壓縮特性的途徑。
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