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采用寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC,進(jìn)行紫外光電探測(cè)器的制備。基于機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性考慮,增透抗反膜的制備采用SiO2+Al2O3工藝,同時(shí)對(duì)其表面鈍化層和增透抗反膜工藝進(jìn)行了研究討論。
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