低溫工藝，可在溫室下進(jìn)行SiO2淀積。

淀積SiO2，SiN，a-Si；厚度范圍10nm~1μm；均勻性10%。

低溫成膜，溫度對(duì)基片影響小，可制備厚膜，膜層成分均勻；等離子體對(duì)基片有清洗作用；該設(shè)備主要應(yīng)用等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)，用來(lái)制作SiO2、SiN4、非品Si等介電、半導(dǎo)體及金屬膜。

化學(xué)氣相沉積是制備各種薄膜材料的一種重要和普遍使用的技術(shù)，利用這一技術(shù)可以在各種基片上制備元素及化合物薄膜?；瘜W(xué)氣相沉積相對(duì)于其他薄膜沉積技術(shù)具有許多優(yōu)點(diǎn)：它可以準(zhǔn)確地控制薄膜的組分及摻雜水平使其組分具有理想化學(xué)配比；可在復(fù)雜形狀的基片上沉積成膜；由于許多反應(yīng)可以在大氣壓下進(jìn)行，系統(tǒng)不需要昂貴的真空設(shè)備；化學(xué)氣相沉積的高沉積溫度會(huì)大幅度改善晶體的結(jié)晶完整性；可以利用某些材料在熔點(diǎn)或蒸發(fā)時(shí)分解的特點(diǎn)而得到其他方法無(wú)法得到的材料；沉積過(guò)程可以在大尺寸基片或多基片上進(jìn)行。

化學(xué)氣相沉積的明顯缺點(diǎn)是化學(xué)反應(yīng)需要高溫；反應(yīng)氣體會(huì)與基片或設(shè)備發(fā)生化學(xué)反應(yīng)；在化學(xué)氣相沉積中所使用的設(shè)備可能較為復(fù)雜，且有許多變量需要控制。

化學(xué)氣相沉積有較為廣泛的應(yīng)用，例如利用化學(xué)氣相沉積，在切削工具上獲得的TiN或SiC涂層，通過(guò)提高抗磨性可大幅度提高刀具的使用壽命；在大尺寸基片上，應(yīng)用化學(xué)氣相沉積非晶硅可使太陽(yáng)能電池的制備成本降低；化學(xué)氣相沉積獲得的TiN可以成為黃金的替代品從而使裝飾寶石的成本降低。而化學(xué)氣相沉積的主要應(yīng)用則是在半導(dǎo)體集成技術(shù)中的應(yīng)用，例如：在硅片上的硅外延沉積以及用于集成電路中的介電膜如氧化硅、氮化硅的沉積等。

沉積反應(yīng)一、一般化學(xué)氣相沉積反應(yīng)

在化學(xué)氣相沉積中，氣體與氣體在包含基片的真空室中相混合。在適當(dāng)?shù)臏囟认拢瑲怏w發(fā)生化學(xué)反應(yīng)將反應(yīng)物沉積在基片表面，最終形成固態(tài)膜。在所有化學(xué)氣相沉積過(guò)程中所發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)是非常重要的。在薄膜沉積過(guò)程中可控制的變量有氣體流量、氣體組分、沉積溫度、氣壓、真空室?guī)缀螛?gòu)型等。因此，用于制備薄膜的化學(xué)氣相沉積涉及三個(gè)基本過(guò)程：反應(yīng)物的輸運(yùn)過(guò)程，化學(xué)反應(yīng)過(guò)程，去除反應(yīng)副產(chǎn)品過(guò)程。廣義上講，化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器的設(shè)計(jì)可分成常壓式和低壓式，熱壁式和冷壁式。常壓式反應(yīng)器運(yùn)行的缺點(diǎn)是需要大流量攜載氣體、大尺寸設(shè)備，膜被污染的程度高；而低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)可以除去攜載氣體并在低壓下只使用少量反應(yīng)氣體，此時(shí)，氣體從一端注入，在另一端用真空泵排出。因此，低壓式反應(yīng)器已得到廣泛應(yīng)用和發(fā)展。在熱壁式反應(yīng)器中，整個(gè)反應(yīng)器需要達(dá)到發(fā)生化學(xué)反應(yīng)所需的溫度，基片處于由均勻加熱爐所產(chǎn)生的等溫環(huán)境下；而在冷壁式反應(yīng)器中，只有基片需要達(dá)到化學(xué)反應(yīng)所需的溫度，換句話說(shuō)，加熱區(qū)只局限于基片或基片架。

下面是在化學(xué)氣相沉積過(guò)程中所經(jīng)常遇到的一些典型的化學(xué)反應(yīng)。

1．分解反應(yīng)

早期制備Si膜的方法是在一定的溫度下使硅烷SiH₄分解，這一化學(xué)反應(yīng)為：

SiH₄（g） ——→Si（s） 2H₂（g）

許多其他化合物氣體也不是很穩(wěn)定，因而利用其分解反應(yīng)可以獲得金屬薄膜：

Ni（CO）₄（g）——→Ni（s） 4CO（g）

Til2（g）——→Ti（s） 2I（g）

2．還原反應(yīng)

一個(gè)最典型的例子是H還原鹵化物如SICl₄獲得Si膜：

SiCl4（g） 2H2（g）——→Si（s） 4HCl（g）

其他例子涉及鎢和硼的鹵化物：

WCl₆（g） 3H₂（g）——→W（s） 6HCl（g）

WF₆（g） 3H₂（g）——→W（s） 6HF（g）

2BCl₃（g） 3H2（g）——→2B（g） 6HCI（g）

氯化物是更常用的鹵化物，這是因?yàn)槁然锞哂休^大的揮發(fā)性且容易通過(guò)部分分餾而鈍化。氫的還原反應(yīng)對(duì)于制備像Al、Ti等金屬是不適合的，這是因?yàn)檫@些元素的鹵化物較穩(wěn)定。

3．氧化反應(yīng)

SiO₂通常由SiH₄的氧化制得，其發(fā)生的氧化反應(yīng)為：

SiH₄（g） O₂（g）——→SiO₂（s） 2H₂（g）反應(yīng)可以在450℃較低的溫度下進(jìn)行。

常壓下的化學(xué)氣相反應(yīng)沉積的優(yōu)點(diǎn)在于它對(duì)設(shè)備的要求較為簡(jiǎn)單，且相對(duì)于低壓化學(xué)氣相反應(yīng)沉積系統(tǒng)，它的價(jià)格較為便宜。但在常壓下反應(yīng)時(shí)，氣相成核數(shù)將由于使用的稀釋惰性氣體而減少。

SiCl₄和GeCl₄的直接氧化需要高溫：

SiCl₄（g） O₂（g）——→SiOz（s） 2Cl₂（g）

GeCl₄（g） O₂（g）——→GeO₂（s） 2Cl₂（g）

由氯化物的水解反應(yīng)可氧化沉積Al：

Al₂Cl₆（g） 2CO₂（g） 3H₂（g）——→Al₂O₃（s） 6HCl（g） 3CO（g）

4．氮化反應(yīng)和碳化反應(yīng)

氮化硅和氮化硼是化學(xué)氣相沉積制備氮化物的兩個(gè)重要例子：

3SiH₄（g） 4NH₃（g）——→Si₃N₄（s） 12H₂（g）

下列反應(yīng)可獲得高沉積率：

3SiH₂Cl₂（g） 4NH₃（g）——→Si₃N₄（s） 6HCI（g） 6H2（g）

BCl₃（g） NH₃（g）——→BN（s） 3HCl（g）

化學(xué)氣相沉積方法得到的膜的性質(zhì)取決于氣體的種類和沉積條件(如溫度等)。例如，在一定的溫度下，氮化硅更易形成非晶膜。在碳?xì)錃怏w存在情況下，使用氯化還原化學(xué)氣相沉積方法可以制得TiC：

TiCl₄（g） CH₄（g）——→TiC（s） 4HCl（g）

CH₃SiCl₃的熱分解可產(chǎn)生碳化硅涂層：

CH₃SiCl₃（g）——→SiC（s） 3HCl（g）

5．化合反應(yīng)

由有機(jī)金屬化合物可以沉積得到Ⅲ～V族化合物：

Ga(CH3)₃（g） AsH₃（g）——→GaAs（s） 3CH₄（g）

如果系統(tǒng)中有溫差，當(dāng)源材料在溫度T1時(shí)與輸運(yùn)氣體反應(yīng)形成易揮發(fā)物時(shí)就會(huì)發(fā)生化學(xué)輸運(yùn)反應(yīng)。當(dāng)沿著溫度梯度輸運(yùn)時(shí)，揮發(fā)材料在溫度T2(T1>T2)時(shí)會(huì)發(fā)生可逆反應(yīng)，在反應(yīng)器的另一端出現(xiàn)源材料：

6GaAs（g） 6HCI（g）?As₄（g） As₂（g）) 6GaCI（g） 3H₂（g）（T1正反應(yīng)，T2逆反應(yīng)）

在逆反應(yīng)以后，所獲材料處于高純態(tài)。

沉積反應(yīng)二、化學(xué)氣相沉積制備薄膜的傳統(tǒng)方法

下表給出了化學(xué)氣相沉積制備薄膜時(shí)所使用的化學(xué)氣體以及沉積條件。

熱化學(xué)氣相沉積(TCVD)是指利用高溫激活化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行氣相生長(zhǎng)的方法 。