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提出一種新的處理方法-XPS標準曲線法來測量硅片上超薄氧化硅層(SiO2/Si)的厚度。該方法利用一系列氧化硅厚度(d)準確已知的SiO2/Si標準樣品,分別記錄其氧化硅和元素硅的Si(2p)譜線,并得到峰高比(R),然后將厚度(d)對峰高比(R)作圖得到標準曲線。在相同的實驗條件下,測得未知樣品氧化硅和元素硅的Si(2p)譜線并計算其峰高比,通過插入法在標準曲線上得到相應的氧化硅層厚度。SiO2/Si標準樣品由設備一流和經(jīng)驗豐富的權威實驗室提供,其氧化硅厚度采用多種方法進行測量比對。實驗表明:基于氧化硅厚度準確知道的標準樣品制作的XPS標準曲線,用于硅片上超薄氧化硅層厚度測量時具有快速、簡便和比較準確等優(yōu)點,有較好的實用價值。
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提出一種新的處理方法-XPS標準曲線法來測量硅片上超薄氧化硅層(SiO2/Si)的厚度。該方法利用一系列氧化硅厚度(d)準確已知的SiO2/Si標準樣品,分別記錄其氧化硅和元素硅的Si(2p)譜線,并得到峰高比(R),然后將厚度(d)對峰高比(R)作圖得到標準曲線。在相同的實驗條件下,測得未知樣品氧化硅和元素硅的Si(2p)譜線并計算其峰高比,通過插入法在標準曲線上得到相應的氧化硅層厚度。SiO2/Si標準樣品由設備一流和經(jīng)驗豐富的權威實驗室提供,其氧化硅厚度采用多種方法進行測量比對。實驗表明:基于氧化硅厚度準確知道的標準樣品制作的XPS標準曲線,用于硅片上超薄氧化硅層厚度測量時具有快速、簡便和比較準確等優(yōu)點,有較好的實用價值。