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采用磁控濺射法制備CdZnTe先驅(qū)薄膜/金屬Al膜的層疊結(jié)構(gòu),利用鋁誘導(dǎo)技術(shù)制備CdZnTe薄膜。通過原子力顯微鏡、X射線衍射、Raman光譜儀和半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng),研究了鋁膜濺射功率對(duì)鋁誘導(dǎo)CdZnTe薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響。結(jié)果表明:隨著鋁膜濺射功率的增加,鋁誘導(dǎo)CdZnTe薄膜表面的薄膜結(jié)晶質(zhì)量、晶粒尺寸和薄膜電阻率先增大后減小。鋁誘導(dǎo)晶化的效果與鋁膜濺射功率有關(guān),當(dāng)鋁膜濺射功率達(dá)到100 W,CdZnTe薄膜的晶化誘導(dǎo)效果最顯著,薄膜結(jié)晶質(zhì)量最好,晶粒尺寸最大。
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