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更新時(shí)間:2025.01.04
鋁合金表面微弧氧化工藝條件的研究

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為了研究了起弧電壓、電流密度和氧化時(shí)間等參數(shù)對(duì)鋁合金陶瓷膜性能的影響。以L(fǎng)Y12鋁合金為試驗(yàn)材料,采用MAO240/750微弧氧化設(shè)備、TT260測(cè)厚儀和AMARY-1000B掃描電子顯微鏡。結(jié)果表明:起弧電壓隨著Na2S iO3濃度的增加而降低;在相同氧化時(shí)間內(nèi),隨著電流密度的增加,陶瓷膜的厚度也顯著地增加,陶瓷膜的致密層的顯微硬度也在逐漸地增加,但不是呈線(xiàn)性增加的;在相同電流密度條件下,隨著時(shí)間的增加,膜層厚度和致密層硬度非線(xiàn)性增加,但致密層所占比例卻減小。得出結(jié)論:電流密度應(yīng)該選擇在5~20A/dm2的范圍內(nèi),微弧氧化時(shí)間控制在3h以?xún)?nèi)時(shí)比較適宜。

層狀礦床的韻律性是過(guò)去地質(zhì)環(huán)境氧化—還原條件變化的指示標(biāo)志

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