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更新時間：2024.12.29
基于Pro/E 3D模型的圓柱凸輪廓面三坐標(biāo)測量

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計算機輔助設(shè)計/制造技術(shù)的發(fā)展,促進了零件曲面測量技術(shù)的發(fā)展,曲面測量的完成通常依靠三坐標(biāo)測量機.本文結(jié)合對非等價銑削圓柱凸輪廓面誤差分析的研究,從Pro/E 3D建模、三坐標(biāo)測量機試件坐標(biāo)系的建立、測頭補償?shù)汝P(guān)鍵問題,基于Pro/E幾何模型對圓柱凸輪廓面進行實際測量.

電子信息材料

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半導(dǎo)體材料的發(fā)展現(xiàn)狀及未來展望 智能 1601 41623405 呂懿 前言： 半導(dǎo)體材料（ semiconductor material ）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo) 體與絕緣體之間，電阻率約在 1mΩ· cm～1GΩ· cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和 集成電路的電子材料。半導(dǎo)體材料是制作晶體管、 集成電路、 電力電子器件、光電子器 件的重要基礎(chǔ)材料， 支撐著通信、計算機、信息家電與網(wǎng)絡(luò)技術(shù)等電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。 半導(dǎo)體材料及應(yīng)用已成為衡量一個國家經(jīng)濟發(fā)展、科技進步和國防實力的重要標(biāo)志。 一、 第 3 代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用 半導(dǎo)體材料的發(fā)展可以劃分為三個時代。 第 1 代半導(dǎo)體材料以硅 (Si)和鍺 (Ge) 等元素半導(dǎo)體材料為代表，奠定了微電子產(chǎn)業(yè) 基礎(chǔ)。其典型應(yīng)用是集成電路 (Integrated Circuit,IC) ，主要應(yīng)用于低壓、低頻、低功率 晶體管和探測器，

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