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1 停車(chē)場(chǎng)造價(jià)指標(biāo)分析 表一、工程概況 項(xiàng) 目 名 稱(chēng) 內(nèi) 容 工程名稱(chēng) ××綜合客運(yùn)交通停車(chē)場(chǎng) 工程分類(lèi) 建筑工程 -民用建筑 -交通建筑 -其他 工程地點(diǎn) 外環(huán)線外 -浦東新區(qū) 建筑物功能及規(guī)模 敞開(kāi)式停車(chē)場(chǎng) 主體四層 局部五層 開(kāi)工日期 2009年 9月 竣工日期 2010年 5月 建筑面積 (平方米 ) 15060 其中 :地上 15060 地下 - 建筑和安裝工程造 價(jià)(萬(wàn)元 ) 3043.50 平方米造價(jià) (元 / 平 方米 ) 2020.92 結(jié)構(gòu)類(lèi)型 框架 層數(shù)(層) 地上__4__ 地下___0___ 建筑高度(檐口) (米 ) 20.25 層高 (米) 其中 :首層 4.5 標(biāo)準(zhǔn)層____3.6_____ 建筑節(jié)能 加氣混凝土屋面保溫層 設(shè)計(jì)荷載 辦公區(qū) :4kg/ ㎡;辦公 :2kg
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KNT-SPV01 光伏發(fā)電實(shí)訓(xùn)系統(tǒng) 實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書(shū) (2011年全國(guó)職業(yè)院校技能大賽指定設(shè)備) 南京康尼科技實(shí)業(yè)有限公司 2011年 3月 第一部分 光伏發(fā)電系統(tǒng)基礎(chǔ) 1.1 光伏電池 1.1.1 半導(dǎo)體與 PN結(jié) 1.本征半導(dǎo)體 純凈半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的一種物質(zhì),純凈的半導(dǎo)體稱(chēng) 為本征半導(dǎo)體。制造半導(dǎo)體器件的常用半導(dǎo)體材料有硅( Si)、鍺(Ge)和砷化鎵 (GaAs)等。本征硅半導(dǎo)體中的硅原子核最外層有四個(gè)價(jià)電子,硅晶體為共價(jià)鍵 結(jié)構(gòu),硅原子最外層的價(jià)電子被共價(jià)鍵束縛,在低溫下,這些共價(jià)鍵是完好的, 本征硅半導(dǎo)體顯示出絕緣體特性。當(dāng)溫度升高或受到光照等外界激發(fā)時(shí),共價(jià)鍵 中的某些價(jià)電子會(huì)獲得能量,擺脫共價(jià)鍵束縛,成為可以自由運(yùn)動(dòng)的電子,在原 來(lái)的共價(jià)鍵中留出空穴。這些空穴又會(huì)被鄰近的共價(jià)鍵中的價(jià)電子填補(bǔ),并在鄰 近的共價(jià)鍵中產(chǎn)生新的空穴,空穴運(yùn)動(dòng)是帶負(fù)電荷的的價(jià)電子運(yùn)
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