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更新時間：2025.05.11
基于紫外光刻的微納光纖布喇格光柵研究

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介紹紫外光刻法制作微納光纖布喇格光柵(MF-BG)的制作工藝,測量并分析不同直徑的微納光纖布喇格光柵的反射譜。數(shù)據(jù)表明隨著微納光纖的直徑變小,光纖光柵的中心波長藍(lán)移且反射強(qiáng)度也隨之減小。仿真計算微納光纖的有效折射率和光纖纖芯的束縛能力(即基模分布在纖芯的能量與基模全部能量的比值),來解釋上述變化。

厚鋁芯片制造工藝的光刻對準(zhǔn)效果改善

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對于厚鋁芯片的制造工藝,由于光刻對準(zhǔn)標(biāo)記上覆蓋了厚的鋁層,對準(zhǔn)標(biāo)記形貌輪廓會變得模糊,這會導(dǎo)致光刻對準(zhǔn)出現(xiàn)困難,對偏的問題將變得常見。為了解決此問題,提出了多種改善方法,首先采用疊加標(biāo)記法,通過將不同層次的對準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行疊加,增大了標(biāo)記的臺階,對準(zhǔn)標(biāo)記的輪廓變得比原來清晰。其次是局部濺射法,通過夾具保護(hù)對準(zhǔn)標(biāo)記,確保標(biāo)記不被厚鋁覆蓋,因此厚鋁將不會對對準(zhǔn)標(biāo)記產(chǎn)生任何影響。最后是剝離工藝法,通過光刻膠保護(hù)對準(zhǔn)標(biāo)記,使之不被厚鋁覆蓋,因此,對準(zhǔn)標(biāo)記形貌將會保持清晰。這些方法在工藝和原理上是不同的,它們適用于不同的環(huán)境。通過這些方法,基本可以解決厚鋁工藝中光刻對準(zhǔn)困難的問題。

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