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提出了一種利用傳統(tǒng)電弧熔接機(jī)實現(xiàn)光子晶體光纖(PCF)與單模光纖(SMF)低損耗熔接的新方案。方案結(jié)合實驗測量與理論計算,首先通過改變?nèi)劢訒r間、熔接電流等參量,考察了不同熔接功率對PCF端面氣孔結(jié)構(gòu)的影響。由此計算了PCF端面模場分布的相應(yīng)變化,并根據(jù)兩光纖端面模場的重疊積分計算了相應(yīng)的熔接損耗,從而確定出對應(yīng)低熔接損耗的熔接功率區(qū)間。綜合考慮熔接強(qiáng)度等要求,反向選取了合理的熔接參量范圍,實現(xiàn)了PCF-SMF之間低損耗、高強(qiáng)度的熔接。提出的熔接方案使熔接過程中PCF包層氣孔的收縮變化、該變化對兩光纖接合匹配度的影響等問題清晰化,克服了以往PCF-SMF熔接中難以設(shè)定合理熔接參量的問題,有效地提高了熔接效率和熔接質(zhì)量。