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以浸入沉積的方法在硅納米線上修飾了金納米顆粒,并通過電子掃描顯微鏡(SEM)和X射線熒光分析(XRF)對金納米粒子修飾的硅納米線電極表面形貌進行了表征.以修飾后的硅納米線電極作為工作電極,采用陽極溶出法檢測水中痕量鉛和銅,考察pH值、富集電位和富集時間對溶出峰的影響,優(yōu)化出最佳實驗條件.在優(yōu)化的實驗條件下,鉛Pb2+和銅Cu2+的靈敏度分別為0.649μA/(μg.L-1)和0.177μA/(μg.L-1).檢測極限達(dá)到0.26μg.L-1和0.67μg.L-1.峰電流與離子濃度在質(zhì)量濃度25~200μg.L-1的范圍內(nèi)形成良好的線性關(guān)系.
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以浸入沉積的方法在硅納米線上修飾了金納米顆粒,并通過電子掃描顯微鏡(SEM)和X射線熒光分析(XRF)對金納米粒子修飾的硅納米線電極表面形貌進行了表征.以修飾后的硅納米線電極作為工作電極,采用陽極溶出法檢測水中痕量鉛和銅,考察pH值、富集電位和富集時間對溶出峰的影響,優(yōu)化出最佳實驗條件.在優(yōu)化的實驗條件下,鉛Pb2+和銅Cu2+的靈敏度分別為0.649μA/(μg.L-1)和0.177μA/(μg.L-1).檢測極限達(dá)到0.26μg.L-1和0.67μg.L-1.峰電流與離子濃度在質(zhì)量濃度25~200μg.L-1的范圍內(nèi)形成良好的線性關(guān)系.
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