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更新時(shí)間：2025.05.31
真空納米電子器件

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本書描繪了量子納米結(jié)構(gòu)的物理圖像、電子場(chǎng)發(fā)射的基本原理和真空納米電子儀器的操作，并且提供了目前該領(lǐng)域最前沿的技術(shù)進(jìn)展以及未來的研究發(fā)展方向。本書也提供了有關(guān)新的量子電子源的研究結(jié)果和最新進(jìn)展，這將決定未來真空納米電子學(xué)的發(fā)展方向。同時(shí)，本書還進(jìn)一步討論了高頻真空納米電子器件的量子力學(xué)效應(yīng)。

功率高壓MOS器件關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用

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1 國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)公示材料 項(xiàng)目名稱：功率高壓 MOS 器件關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用 推薦單位意見 推薦意見： 該成果深究功率高壓 MOS 器件的耐壓與比導(dǎo)通電阻之制約關(guān)系， 建立功率高壓 MOS器件優(yōu)化設(shè)計(jì)理論，其中非全耗盡新模式和 R-阱全域優(yōu)化法實(shí)現(xiàn)功率 MOS 器 件更低比導(dǎo)通電阻；等效襯底模型揭示襯底輔助耗盡效應(yīng)的物理機(jī)制，獲得理想襯 底條件提高耐壓。 提出橫向功率高壓 MOS器件襯底終端技術(shù)， 解決小曲率導(dǎo)致的低 耐壓瓶頸問題。據(jù)此，發(fā)明并研制出兩類新型功率高壓 MOS 器件。 該成果創(chuàng)建國(guó)內(nèi)首個(gè)功率高壓超結(jié) MOS器件量產(chǎn)平臺(tái)暨全球首個(gè)深槽工藝 8英 寸超結(jié) MOS 器件代工平臺(tái)；建立超低比導(dǎo)通電阻 700V BCD 量產(chǎn)平臺(tái)和功率高壓 SOI量產(chǎn)代工平臺(tái)。相關(guān)工藝平臺(tái)已為全球 230余家企業(yè)提供芯片量產(chǎn)代工服務(wù)， 并 為三星、飛利浦等知名整機(jī)廠家提供半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)服務(wù)。應(yīng)裝備急

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