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利用放電等離子燒結(jié)技術(shù)制備了三元半導(dǎo)體CuGaTe2。XRD分析結(jié)果表明,該半導(dǎo)體為單相化合物CuGaTe2,帶隙寬度(Eg)約為1.0eV,與Ga2Te3(1.65eV)的帶隙相比明顯變窄。在701K時(shí)電導(dǎo)率達(dá)到1.6×104/(Ω.m)。電導(dǎo)率的顯著提高與帶隙變窄密切相關(guān)。晶格熱導(dǎo)率占總熱導(dǎo)率(κ)的主要部分,κ值由室溫時(shí)的3.64W/(m.K)降低到701K時(shí)的1.1W/(m.K),并基本符合∞T-1關(guān)系,即聲子散射基本受Umklapp過(guò)程控制。在701K時(shí)該三元化合物的最大熱電優(yōu)值ZT為0.49,而Ga2Te3在860K時(shí)的最大ZT值為0.16。
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