造價(jià)通
更新時(shí)間：2025.03.15
IGBT模塊的檢測(cè)方法

格式：pdf

大小：294KB

頁(yè)數(shù)： 8頁(yè)

測(cè)試方法（晶川）：萬(wàn)用表只能測(cè)量不全面：若 IGBT損壞一般可以測(cè) 出；但是若 IGBT是好的，它無(wú)法肯定是好的。 IGBT損壞：GE,EG,CE,GC,CG任意一組出現(xiàn)二極管檔有讀數(shù)，即損壞。 （GE表示G接正表筆， E接負(fù)表筆；其他雷同） IGBT 的 EC 之間接有二極管，所以為導(dǎo)通態(tài)，電壓為 0.34V左右。 若想完整測(cè)試 IGBT需要用晶體管圖示儀。 IGBT損壞：GE,EG,CE,GC,CG任意一組出現(xiàn)電阻檔有讀數(shù)， 即損壞。（GE 表示G接正表筆， E接負(fù)表筆；其他雷同） 新 IGBT 紅表筆 -黑表筆 電阻檔 二極管檔 1-2 無(wú)窮大 斷路 2-1 無(wú)窮大 斷路 4-3 無(wú)窮大 斷路 3-4 無(wú)窮大 斷路 8-10 無(wú)窮大 斷路 10-8 0.447MΩ 0.324 9-8 無(wú)窮大 斷路 8-9 0.448MΩ 0.324 5-4 無(wú)窮大 斷路 4-5 無(wú)窮

IR發(fā)布低溫高速隔離式IGBT模塊

格式：pdf

大?。?span class="single-tag-height">45KB

頁(yè)數(shù)： 1頁(yè)

國(guó)際整流器公司推出全新 MTP 隔離式開(kāi)關(guān)模塊系列,專為大電流工業(yè)電源而設(shè)計(jì),適用于高頻弧焊機(jī)及不間斷電源。它以氮化鋁陶瓷層進(jìn)行絕緣,在結(jié)點(diǎn)與外殼間發(fā)揮更佳導(dǎo)熱性能。該絕緣層的熱傳導(dǎo)性(冷卻能力)比用于同類器件的氧化鋁基板高出7倍之多。新模塊系列的額定電壓為600 V 和1200 V,把高速 IGBT 和優(yōu)化的二極管結(jié)合在同一封裝內(nèi),有助于節(jié)省空間和降低組裝成本,可取代分立式解決方案。在該系列器件中,50MT060ULS 是一款全絕緣低側(cè)斬波模塊,內(nèi)含一個(gè) IR 超快 IGBT 和一個(gè)具超軟逆恢復(fù)電流特性的 HEXFRED 二極管;50MTOboWH 是一款全絕緣半橋式模式,雙 IGBT 設(shè)計(jì)可有效控制功率耗散和電流分配。此外,IR 還提供兩款1200 V MTP 開(kāi)關(guān)模塊:全絕緣的20 MT120 UF 全橋式及40 MT120 UH 半橋式模塊。它們可直接連接到大多數(shù)三相系統(tǒng)的直流總線。

熱門知識(shí)

igbt模塊檢測(cè)

精華知識(shí)

igbt模塊檢測(cè)

最新知識(shí)

igbt模塊檢測(cè)
點(diǎn)擊加載更多>>

相關(guān)問(wèn)答

igbt模塊檢測(cè)
點(diǎn)擊加載更多>>
專題概述
igbt模塊檢測(cè)相關(guān)專題

分類檢索：