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CMOS差分放大器是現(xiàn)代集成電路設計中一個非常重要的電路結構．由于CMOS差分放大器對其版圖設計以及晶體管尺寸非常敏感，CMOS差分放大器設計是模擬電路設計的一個難題．本文利用PowerchipSemiconductorCorp的L110-N工藝實現(xiàn)了不同結構以及不同尺寸的CMOS差分放大器的電路圖和版圖設計，并利用HSPICE對這些設計進行了后仿真，得到了不同尺寸和版圖結構下性能對比結果，對相關領域集成電路設計有很好的指導意義．
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在納米工藝的數(shù)字集成電路電源版圖設計中，根據(jù)芯片布局合理進行電源布局、電源個數(shù)以及電源布線等方面設計，確保每一個電壓域都有完整的電源網(wǎng)絡。在電源分析時從電壓降、功耗及電遷移評估分析，使設計好的電源網(wǎng)絡符合電源預算規(guī)劃。在可靠性設計時采取布線優(yōu)化、添加去耦電容、優(yōu)化封裝設計等方法，提高電源抗干擾能力，從而降低電壓降、提高電源的完整性和可靠性。
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