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更新時(shí)間：2024.12.29
鍺硅合金Y分支器的研制

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本文介紹采用半導(dǎo)體平面工藝研制的Y 分支器。為減少分支處的幅射損耗,并考慮分支器波導(dǎo)耦合長(zhǎng)度,Y 分支器的分支角度設(shè)計(jì)值為2 度。Y 分支器的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)依據(jù)大截面理論決定。經(jīng)激光測(cè)量系統(tǒng)測(cè)試,分支器角度輻射損耗值為2dB。

含鈦的鎳鉻合金和純鈦金瓷結(jié)合強(qiáng)度的研究

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目的:比較鎳鉻合金、含鈦的鎳鉻合金和純鈦的金瓷結(jié)合強(qiáng)度和金瓷界面特征。方法:執(zhí)行ISO9693標(biāo)準(zhǔn),采用三點(diǎn)彎曲試驗(yàn)測(cè)定金瓷結(jié)合強(qiáng)度。運(yùn)用掃描電鏡和X射線衍射進(jìn)行金瓷界面分析。結(jié)果:金瓷結(jié)合強(qiáng)度分別為:鎳鉻合金(37.56±2.92)Mpa,含鈦的鎳鉻合金(39.81±2.45)Mpa,純鈦(32.61±5.62)Mpa,前兩者組間差異無(wú)統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P﹥0.05),后者與前兩者組間差異有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P<0.05)。掃描電鏡和X射線衍射:鎳鉻合金和含鈦的鎳鉻合金與瓷之間緊密接觸,無(wú)裂紋,界面過(guò)渡層15～20μm。純鈦與瓷過(guò)渡層80μm,純鈦基體表面可見約2μm黑色帶。結(jié)論:純鈦金瓷結(jié)合強(qiáng)度小于鎳鉻合金和含鈦的鎳鉻合金,但仍超過(guò)25Mpa,能滿足臨床要求。金瓷之間存在結(jié)合介質(zhì),形成過(guò)渡層。純鈦界面易出現(xiàn)中間層。

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