造價通
更新時間:2024.12.22
開關(guān)電源MOSFET漏源極電壓電磁干擾的仿真分析

格式:pdf

大小:257KB

頁數(shù): 3頁

本文研究了開關(guān)電源中MOSFET漏源極電壓電磁干擾的頻譜特性,通過提取MOSFET漏源極時域電壓信號的特征參數(shù), 對其波形進行了仿真,分析了該信號電磁干擾的頻譜特點,并分別研究了信號中各參數(shù)對頻譜的影響,Matlab仿真表明,該研究結(jié)果對解決電磁干擾問題具有很好的參考和利用價值。

集成低電流IC和P溝道MOSFET的電源開關(guān)芯片

格式:pdf

大?。?span class="single-tag-height">58KB

頁數(shù): 1頁

集成低電流IC和P溝道MOSFET的電源開關(guān)芯片

熱門知識

開關(guān)電源用MOSFET的類型

精華知識

開關(guān)電源用MOSFET的類型

最新知識

開關(guān)電源用MOSFET的類型
點擊加載更多>>

相關(guān)問答

開關(guān)電源用MOSFET的類型
點擊加載更多>>
開關(guān)電源用MOSFET的類型相關(guān)專題

分類檢索: