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介紹用于真空儲能裝置中的離子束斷路開關(guān)——IBOS。它是利用高速低密離子束代替低密中速等離子體融蝕斷路開關(guān)“等離子體”而形成的,從而獲得了更短的開斷時間(<4ns)。
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用等離子束對汽車覆蓋件模具用鉻鉬鑄鐵進行表面淬火與熔覆,以達到表面強化效果。研究了硬化層的顯微組織、硬度分布。結(jié)果表明,鉻鉬鑄鐵等離子束淬火處理后,硬化層平均厚度約400μm,表層平均硬度達728 HV0.2;等離子束熔覆后硬化層平均厚度約800μm,表層平均硬度達1065 HV0.2。硬化層截面硬度分析表明,硬度最高值出現(xiàn)在次表層;隨等離子束處理次數(shù)的增加,硬化層的深度顯著增加;等離子束硬化后淬火與熔覆層硬度明顯提高。
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