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根據(jù)SiC電阻的伏安特性及滅磁回路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),在理想情況下對勵磁電流與滅磁時間的函數(shù)關(guān)系進行了推導(dǎo)并給出了SiC電阻耗能公式,分別對空載誤強勵和機端三相短路兩種極端滅磁工況的滅磁電阻耗能作出了理論分析,依據(jù)計算結(jié)果提出滅磁電阻容量配置應(yīng)重點考慮第二種工況。
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巨磁電阻傳感特性是物理實驗教學(xué)關(guān)注點,而且認(rèn)為其近似線性工作區(qū)適用于弱磁場測量.傳感器測量定標(biāo)是一項嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膶嶒灩ぷ?針對惠斯通電橋結(jié)構(gòu)的巨磁電阻傳感特性,采用線性擬合屬于半定量標(biāo)定.使用周期磁場調(diào)制并結(jié)合鎖相放大技術(shù),由微分測量實驗值直觀地描述曲線斜率變化,從而理解分段線性插值是常用有效的傳感定標(biāo)方法.通過對數(shù)據(jù)擬合和微分測量技術(shù)比較,不僅體現(xiàn)不同分析方案的原理共性,也展示了基于實驗事實的技術(shù)方法更符合物理實驗教學(xué)需要.