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電氣部分防雷設(shè)計規(guī)范 12.3.1 防直擊雷的接閃器應(yīng)采用裝設(shè)在屋角、 屋脊、女兒墻或屋檐上的避雷帶 (見附錄 D.3), 并在屋面上裝設(shè)不大于 10m× 10m 的網(wǎng)格。突出屋面的物體應(yīng)沿其頂部四周裝設(shè)避雷帶, 在屋面接閃器保護(hù)范圍之外的物體應(yīng)裝接閃器, 并和屋面防雷裝置相連, 當(dāng)利用金屬物體和 金屬屋面作接閃器時,應(yīng)符合第 12.7.1.3 款的要求。 12.3.2 防直擊雷裝置的引下線應(yīng)優(yōu)先 利用建筑物鋼筋混凝土中的鋼筋, 但應(yīng)符合第 12.8.6 條的要求。 12.3.3 防直擊雷裝置引下 線的數(shù)量和間距規(guī)定如下: 12.3.3.1 專設(shè)引下線時,其根數(shù)不應(yīng)少于兩根,間距不 應(yīng)大于 18m。 12.3.3.2 當(dāng)利用建筑物鋼筋混凝土中的鋼筋作為防雷裝置的引下線時, 其根數(shù)不做具體規(guī)定, 間距不應(yīng)大于 18m,但建筑外廓各個角上的柱筋應(yīng)被利用。 12.3.4 為 防止止雷電波的侵入,
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第二節(jié) 防雷區(qū)( LPZ) 6.2.1 條 防雷區(qū)應(yīng)按下列原則劃分: 一、LPZ0A 區(qū):本區(qū)內(nèi)的各物體都可能遭到直接雷擊和導(dǎo)走全部雷電流;本區(qū)內(nèi) 的電磁場強(qiáng)度沒有衰減。 二、LPZ0B 區(qū):本區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭到大于所選滾球半徑對應(yīng)的雷電流直接 雷擊,但本區(qū)內(nèi)的電磁場強(qiáng)度沒有衰減。 三、LPZ1 區(qū):本區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭到直接雷擊, 流經(jīng)各導(dǎo)體的電流比 LPZ 0B 區(qū)更??;本區(qū)內(nèi)的電磁場強(qiáng)度可能衰減,這取決于屏蔽措施。 四、LPZn+1 后續(xù)防雷區(qū):當(dāng)需要進(jìn)一步減小流入的電流和電磁場強(qiáng)度時,應(yīng)增設(shè) 后續(xù)防雷區(qū),并按照需要保護(hù)的對象所要求的環(huán)境區(qū)選擇后續(xù)防雷區(qū)的要求條件。 注: n=1、2、? [ 說明 ] 將需要保護(hù)的空間劃分為不同的防雷區(qū),以規(guī)定各部分空間不同的雷擊 電磁脈沖的嚴(yán)重程度和指明各區(qū)交界處的等電位連接點(diǎn)的位置。 各區(qū)以在其交界處的電磁環(huán)境有明顯改變作為劃分不同防
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