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針對鐵路施工中一些施工技術人員對鐵路曲線超高和正矢的設置方法標準存在概念模糊不清,方法標準掌握不當?shù)膯栴},詳細論述了新建鐵路曲線地段軌道超高與正矢的設置方法,施工標準及軌道標識方法,以指導實踐。
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在偏向晶向8°的半絕緣4H-SiC(0001)面襯底上生長了n型和p型SiC外延材料,在熔融KOH腐蝕液中對外延材料進行腐蝕,使用掃描電子顯微鏡和光學顯微鏡對腐蝕后的外延材料進行了測試表征,分析了基矢面位錯在SiC外延材料中的轉化和延伸理論機制,并討論了不同導電類型的SiC材料在熔融KOH腐蝕液中的腐蝕機制。結果表明基矢面位錯在n型SiC外延材料中更容易得到延伸,而在p型SiC外延材料中轉化為刃位錯;n型SiC在熔融KOH中的腐蝕,是電化學腐蝕占主導、各向同性的腐蝕過程,而p型SiC表現(xiàn)出各向異性的腐蝕特性。