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更新時(shí)間：2025.04.12
太陽(yáng)能電池高純多晶硅產(chǎn)業(yè)產(chǎn)排污分析

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隨著多晶硅產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大,多晶硅生產(chǎn)中的環(huán)境問(wèn)題日益受到人們的關(guān)注。我國(guó)制備高純多晶硅的主流技術(shù)是改良西門子法,物理冶金法制備高純多晶硅企業(yè)有1～2家,是今后可能的發(fā)展方向之一。全面系統(tǒng)分析了改良西門子法和物理冶金法多晶硅生產(chǎn)中的產(chǎn)污環(huán)節(jié)、污染物種類及排污情況,為核算多晶硅產(chǎn)業(yè)產(chǎn)排污系數(shù)提供實(shí)踐基礎(chǔ)。

各類排污口標(biāo)志牌制作圖樣

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各類排污口標(biāo)志牌制作圖樣 圖一 污水排放口圖樣 圖二 廢氣排放口 圖樣 圖三 噪聲排放源圖樣 圖四 一般固體廢物貯 存場(chǎng)圖樣 圖五 危險(xiǎn)廢物貯存場(chǎng)圖樣牌 圖六 危險(xiǎn)廢物臨時(shí)收集貯 存點(diǎn)標(biāo)志牌 圖七 適合于室內(nèi)外懸掛的危險(xiǎn)廢物警告標(biāo)志 圖八 適合于室內(nèi)外獨(dú)立擺放或樹(shù)立的危險(xiǎn)廢物警告標(biāo)志 圖九 適合于室內(nèi)外懸掛的危險(xiǎn)廢物標(biāo)簽 圖十 適合于室內(nèi)外獨(dú)立樹(shù)立或擺放的危險(xiǎn)廢物標(biāo)簽 圖十一 粘貼于危險(xiǎn)廢物儲(chǔ)存容器上的危險(xiǎn)廢物標(biāo)簽 圖十二 系掛于袋裝危險(xiǎn)廢物包裝物上的危險(xiǎn)廢物標(biāo)簽 圖十三 危險(xiǎn)廢物種類

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