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靜態(tài)電流相同或極接近的超低靜態(tài)電流LDO的動態(tài)性能可能差異很大。有兩項(xiàng)主要因素決定了這些器件的動態(tài)性能。一是使用的半導(dǎo)體工藝,大多數(shù)當(dāng)今LDO使用先進(jìn)的CMOS或BiCMOS技術(shù)制造;二是LDO設(shè)計中應(yīng)用的技術(shù)。有幾種不同類型的超低靜態(tài)電流
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