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芯片設(shè)計和制造對銅絲鍵合工藝的影響分析 【摘 要】 以實際案例為基礎(chǔ)分析, 從三極管芯片設(shè)計和制造上解決銅絲鍵 合工藝容易造成芯片彈坑損傷的問題。 【關(guān)鍵詞】 銅絲鍵合 彈坑 芯片結(jié)構(gòu) 1 概要 在半導(dǎo)體銅絲鍵合工藝中討論最多的都是在封裝鍵合領(lǐng)域內(nèi)討論如何改進 設(shè)備,材料和工藝方法去匹配銅絲工藝, 提升銅絲工藝的可靠性和實用性, 但很 少有討論在芯片設(shè)計和制造方面能做多少改進。 本文重點分析芯片設(shè)計制造對銅 絲工藝的的影響。 從銅絲鍵合工藝主要的失效分析統(tǒng)計來看, 銅絲工藝在鋁層彈坑損傷上要比 金絲工藝嚴重得多。 彈坑損傷在封裝工藝上總存在工藝寬容度窄, 控制難度高的 問題,容易影響三極管的良品率和可靠性。 所以改進的目標就定在如何能把芯片 鍵合區(qū)設(shè)計成能經(jīng)受住銅絲鍵合高強度沖擊而又不容易發(fā)生彈坑損傷或是能夠 緩沖銅絲鍵合沖擊應(yīng)力的鍵合區(qū)結(jié)構(gòu)上。 2 鍵合區(qū)鋁層的分析 鍵合區(qū)鋁層是的主要作
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