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更新時(shí)間：2025.03.16
一個(gè)適用于短溝HALO結(jié)構(gòu)MOS器件的直接隧穿柵電流模型

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對(duì)溝道長(zhǎng)度從10μm到0.13μm,柵氧化層厚度為2.5nm的HALO結(jié)構(gòu)nMOS器件的直接隧穿柵電流進(jìn)行了研究,得到了一個(gè)適用于短溝道HALO結(jié)構(gòu)MOS器件的直接隧穿柵電流模型.隨著溝道尺寸的縮短,源/漏擴(kuò)展區(qū)占據(jù)溝道的比例越來(lái)越大,源漏擴(kuò)展區(qū)的影響不再可以忽略不計(jì).文中考慮了源/漏擴(kuò)展區(qū)對(duì)直接隧穿柵電流的影響,給出了適用于不同HALO摻雜劑量的超薄柵(2~4nm)短溝(0.13~0.25μm)nMOS器件的半經(jīng)驗(yàn)直接隧穿柵電流模擬表達(dá)式.

典型開(kāi)關(guān)MOS電流波形的精細(xì)剖析

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反激開(kāi)關(guān) MOSFET 源極流出的電流（ Is）波形的轉(zhuǎn)折點(diǎn)的分析。 很多工程師在電源開(kāi)發(fā)調(diào)試過(guò)程中，測(cè)的的波形的一些關(guān)鍵點(diǎn)不是很清楚，下面針對(duì)反 激電源實(shí)測(cè)波形來(lái)分析一下。 問(wèn)題一，一反激電源實(shí)測(cè) Ids電流時(shí)前端有一個(gè)尖峰（如下圖紅色圓圈里的尖峰圖）， 這個(gè)尖峰到底是什么原因引起的？怎么來(lái)消除或者改善？ 大家都知道這個(gè)尖峰是開(kāi)關(guān) MOS開(kāi)通的時(shí)候出現(xiàn)的，根據(jù)反激回路， Ids電流環(huán)為 Vbus 經(jīng)變壓器原邊、然后經(jīng)過(guò) MOS再到 Vbus形成回路。本來(lái)原邊線圈電感特性，其電流不 能突變，本應(yīng)呈線性上升，但由于原邊線圈匝間存在的分布電容（如下圖中的 C），在 開(kāi)啟瞬間，使 Vbus經(jīng)分存電容 C到 MOS 有一高頻通路，所以形成一時(shí)間很短尖峰。 下面再上兩個(gè)英文資料，上面的 C在下圖中等效于 Cp或者是 Ca 經(jīng)分析，知道此尖峰電流是變壓器的原邊分布參數(shù)造成，所以要從原邊繞線層與層指尖

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