大功率IGBT模塊并聯(lián)使用中動(dòng)靜態(tài)均流特性研究

介紹了龐巴迪運(yùn)輸裝備公司(bombardiertransportation)生產(chǎn)的mitractc3300大功率牽引變流器及其變型產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)、工作原理以及在不同種類機(jī)車上的應(yīng)用情況。

介紹了龐巴迪運(yùn)輸裝備公司（bombardiertransportation）生產(chǎn)的mitractc3300大功率牽引變流器及其變型產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)、工作原理以及在不同種類機(jī)車上的應(yīng)用情況。

介紹了一種基于igd515ei構(gòu)成的igbt串聯(lián)應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)電路,能夠提供最大15a的驅(qū)動(dòng)電流,采用光纖傳輸控制信號(hào),解決了所有與mosfet和igbt有關(guān)的驅(qū)動(dòng)、保護(hù)和電位隔離問(wèn)題。應(yīng)用結(jié)果表明,該驅(qū)動(dòng)電路使用簡(jiǎn)單、可靠,具有優(yōu)良的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)性能,尤其是其聯(lián)合運(yùn)用端口的設(shè)計(jì)非常適用于igbt的串聯(lián)使用。采用串聯(lián)igbt作為剛管調(diào)制器的放電開(kāi)關(guān),解決了單只igbt耐壓不夠的問(wèn)題。文中還介紹了igbt柵極驅(qū)動(dòng)電路和igbt電壓均衡電路的設(shè)計(jì)方法,并給出調(diào)制器的輸出波形。

本文分析了開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)均流的閉環(huán)控制,通過(guò)閉環(huán)控制的理論分析,提出了閉環(huán)控制的規(guī)則,有利于提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

本文分析了開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)均流的閉環(huán)控制,通過(guò)閉環(huán)控制的理論分析,提出了閉環(huán)控制的規(guī)則,有利于提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

基于結(jié)構(gòu)函數(shù)理論,對(duì)同一管殼與基板的不同界面熱性能進(jìn)行研究,發(fā)現(xiàn)積分結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線出現(xiàn)分離,通過(guò)分離點(diǎn)可確定igbt模塊內(nèi)部pn結(jié)與基板外殼之間的熱阻值;通過(guò)此方法,還可確定同一管殼采用不同接觸面材料的熱特性,并可依此對(duì)igbt所用涂覆導(dǎo)熱材料進(jìn)行選型。研究表明,結(jié)構(gòu)函數(shù)理論是分析大功率igbt器件熱特性的一種有效方法。

igbt并聯(lián)技術(shù)技術(shù)詳解 igbt并聯(lián)均流問(wèn)題 影響靜態(tài)均流的因素 1、并聯(lián)igbt的直流母線側(cè)連接點(diǎn)的電阻分量，因此需要盡量對(duì)稱； 2、igbt芯片的vce(sat)和二極管芯片的vf的差異，因此盡量采取同一批次的產(chǎn)品。 3、igbt模塊所處的溫度差異，設(shè)計(jì)機(jī)械結(jié)構(gòu)及風(fēng)道時(shí)需要考慮； 4、igbt模塊所處的磁場(chǎng)差異； 5、柵極電壓vge的差異。 影響動(dòng)態(tài)均流的因素 1、igbt模塊的開(kāi)通門檻電壓vgeth的差異，vgeth越高，igbt開(kāi)通時(shí)刻越晚， 不同模塊會(huì)有差異； 2、每個(gè)并聯(lián)的igbt模塊的直流母線雜散電感l(wèi)的差異； 3、門極電壓vge的差異； 4、門極回路中的雜散電感量的差異； 5、igbt模塊所處溫度的差異； 6、igbt模塊所處的磁場(chǎng)的差異。 igbt芯片溫度對(duì)均流的影響 igbt芯片的溫度對(duì)于動(dòng)態(tài)均

國(guó)際整流器公司推出全新mtp隔離式開(kāi)關(guān)模塊系列,專為大電流工業(yè)電源而設(shè)計(jì),適用于高頻弧焊機(jī)及不間斷電源。它以氮化鋁陶瓷層進(jìn)行絕緣,在結(jié)點(diǎn)與外殼間發(fā)揮更佳導(dǎo)熱性能。該絕緣層的熱傳導(dǎo)性(冷卻能力)比用于同類器件的氧化鋁基板高出7倍之多。新模塊系列的額定電壓為600v和1200v,把高速igbt和優(yōu)化的二極管結(jié)合在同一封裝內(nèi),有助于節(jié)省空間和降低組裝成本,可取代分立式解決方案。在該系列器件中,50mt060uls是一款全絕緣低側(cè)斬波模塊,內(nèi)含一個(gè)ir超快igbt和一個(gè)具超軟逆恢復(fù)電流特性的hexfred二極管;50mtobowh是一款全絕緣半橋式模式,雙igbt設(shè)計(jì)可有效控制功率耗散和電流分配。此外,ir還提供兩款1200vmtp開(kāi)關(guān)模塊:全絕緣的20mt120uf全橋式及40mt120uh半橋式模塊。它們可直接連接到大多數(shù)三相系統(tǒng)的直流總線。

美國(guó)銦公司為infineonyectmologiesag專門設(shè)計(jì)了用于primepackigbt模塊的heat-spring金屬熱界面材料。heat-spring是柔軟的金屬銦粗加工產(chǎn)品，可壓縮、可用于不規(guī)則的安裝表面、不含硅樹(shù)脂、無(wú)需脫氣、無(wú)需pump-out，可與熱油脂和其他粘性材料同時(shí)使用。

測(cè)試方法（晶川）：萬(wàn)用表只能測(cè)量不全面：若igbt損壞一般可以測(cè) 出；但是若igbt是好的，它無(wú)法肯定是好的。 igbt損壞：ge,eg,ce,gc,cg任意一組出現(xiàn)二極管檔有讀數(shù)，即損壞。 （ge表示g接正表筆，e接負(fù)表筆；其他雷同） igbt的ec之間接有二極管，所以為導(dǎo)通態(tài)，電壓為0.34v左右。 若想完整測(cè)試igbt需要用晶體管圖示儀。 igbt損壞：ge,eg,ce,gc,cg任意一組出現(xiàn)電阻檔有讀數(shù)，即損壞。（ge 表示g接正表筆，e接負(fù)表筆；其他雷同） 新igbt 紅表筆-黑表筆電阻檔二極管檔 1-2無(wú)窮大斷路 2-1無(wú)窮大斷路 4-3無(wú)窮大斷路 3-4無(wú)窮大斷路 8-10無(wú)窮大斷路 10-80.447mω0.324 9-8無(wú)窮大斷路 8-90.448mω0.324 5-4無(wú)窮大斷路 4-5無(wú)窮

大功率集成模塊化LED路燈演示

25kA12kV兩單元IGBT模塊

低溫高速隔離式IGBT模塊

大功率igbt(絕緣柵雙極晶體管)在現(xiàn)代廣播、雷達(dá)發(fā)射機(jī),特別是全固態(tài)調(diào)制器、高壓開(kāi)關(guān)電源中得到廣泛應(yīng)用。本文介紹了一種用于大功率psm短波發(fā)射機(jī)全固態(tài)調(diào)制器的雙功率模塊測(cè)量與控制電路,該雙功率模塊控制采用微處理器和可編程邏輯芯片設(shè)計(jì),因此具有工作電壓低、損耗小等特點(diǎn)。

模塊化高精度大功率高壓電源并聯(lián)技術(shù) 呂富勇1,李永新1,王　芹2,金　江3,劉　偉1 (1.南京理工大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院,南京210094;2.南京航空航天大學(xué)材料科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,南京210016; 3.華中科技大學(xué)電子與信息工程系,武漢430074) 摘　要:為實(shí)現(xiàn)多模塊大功率高壓電源均流并聯(lián)擴(kuò)容技術(shù),用固定相對(duì)相位偏移的脈沖頻率調(diào)制法,將多個(gè)高壓 大功率串聯(lián)諧振逆變模塊并聯(lián);并通過(guò)優(yōu)化控制補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)及合理接地設(shè)計(jì),解決并聯(lián)系統(tǒng)自激和高壓打火損 壞控制電路難題。實(shí)驗(yàn)表明用該法實(shí)現(xiàn)高壓電源的模塊化并聯(lián)擴(kuò)容,簡(jiǎn)單可靠且并聯(lián)模塊越多電源紋波水平越 小;無(wú)需內(nèi)置電流控制環(huán),模塊間也能得到滿意的均流效果;在脈沖負(fù)載和電阻負(fù)載條件下,均具有好的動(dòng)態(tài)特性。 關(guān)鍵詞:并聯(lián);均流;固定相位偏移;串聯(lián)諧振;高壓

正確地確定靜態(tài)和動(dòng)態(tài)運(yùn)行的降額因子,保證了icbt模塊并聯(lián)的可靠運(yùn)行。

并聯(lián)均流技術(shù)作為分布式電源系統(tǒng)中的關(guān)鍵技術(shù),能夠?qū)⒍鄠€(gè)電源模塊并聯(lián)工作,共同分擔(dān)電流,即實(shí)現(xiàn)均流.本文首先介紹幾種在開(kāi)關(guān)電源模塊中常用的并聯(lián)均流方法及其優(yōu)缺點(diǎn);其次,對(duì)造成電源模塊不均流的原因進(jìn)行了分析;最后,基于pid技術(shù)研究了數(shù)字并聯(lián)均流的方法,因其良好的靈活性、抗干擾性和控制精度在工程中得到了廣泛的應(yīng)用.

大功率集成模塊化LED路燈演示-資料

IR推出運(yùn)行于更低溫度的高速隔離式整流器IGBT模塊

大功率led的結(jié)構(gòu)與特性 大功率led的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和應(yīng)用： 相對(duì)于傳統(tǒng)的白紙燈泡，大功率led因具備了更省電，使用壽命更長(zhǎng)壽命更長(zhǎng)及反應(yīng) 時(shí)間更快等主要優(yōu)點(diǎn)，因此很快搶占了lcd背光板，交通號(hào)志，汽車照明和廣告照明等多 個(gè)市場(chǎng)。采用次黏著基臺(tái)進(jìn)階封裝方式，可有效提高led的照明效果。大功率led的主流 生產(chǎn)技術(shù)是ingan,但此技術(shù)仍有一些瓶頸需要克服，目前針對(duì)這些瓶頸（靜電釋放敏感性和 膨脹系數(shù)）提出新的解決方案。 由于大功率led制造工藝，器件設(shè)計(jì)，組裝技術(shù)三方面的進(jìn)展，led發(fā)光器的性能一 直在提高，其成本一直在降低。pn結(jié)設(shè)計(jì)，再輻射鱗片體和透鏡結(jié)構(gòu)都有助于提高效率， 因此也有助于提高可獲得的光輸出。 目前多數(shù)的封裝方式已明顯無(wú)法滿足應(yīng)用需求。對(duì)于大功率led的封裝廠商來(lái)說(shuō)，一 個(gè)主要的調(diào)漲來(lái)自于熱處理課題。這是因?yàn)樵诟邿嵯?，晶格?huì)產(chǎn)

gbpc12,15,25and35series glasspassivatedsingle-phasebridgerectifier reversevoltage-50to1000voltscurrentvoltage-12.0to35.0amperes features ?theplasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94v-0 ?thisseriesisulrecognizedundercomponentindex,filenumbere54214 ?integrallymoldedheatsinkprovidesverylowthermalresistanceformaximumheat

提出一種新穎的三相并聯(lián)型負(fù)荷特性模擬裝置及其相應(yīng)的主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。該裝置采用分相控制,其基波和諧波電流采用解耦控制,級(jí)聯(lián)h橋模塊采用三角載波移相控制,通過(guò)連接電抗器實(shí)現(xiàn)基波和諧波電流的注入及裝置功率的調(diào)節(jié)。提出調(diào)節(jié)逆變器輸出基波電壓相角和幅值來(lái)調(diào)節(jié)注入系統(tǒng)的有功和無(wú)功功率,并給出裝置有功和無(wú)功功率的數(shù)學(xué)表達(dá)式。分析裝置在不同工況下的等效電路,得到系統(tǒng)電抗、基波連接電抗和諧波濾波電抗對(duì)裝置注入電流精度的影響。對(duì)低頻電流波動(dòng)、電流諧波和功率因數(shù)調(diào)節(jié)分別進(jìn)行仿真研究,仿真結(jié)果表明了主電路拓?fù)浼翱刂撇呗詫?duì)負(fù)荷特性模擬的可行性和有效性。