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近年來,隨著信息電子技術(shù)、光電技術(shù)及半導(dǎo)體照明技術(shù)的迅速發(fā)展,超光滑平面元器件需求越來越大,這些表面要求達(dá)到亞納米級表面粗糙度、微米級面形精度且無表面和亞表面損傷,傳統(tǒng)超精密拋光技術(shù)由于耗時、成本高、易產(chǎn)生表面損傷,難以滿足大批量生產(chǎn)的要求。磁流變加工被認(rèn)為是一種極具前景的獲取低損傷鏡面的技術(shù)手段,然而,傳統(tǒng)磁流變加工方法拋光點(diǎn)面積小,加工效率低。為解決上述問題,本文在比較分析國內(nèi)外超光滑表面加工技術(shù)的基礎(chǔ)上,提出了一種大拋光模磁流變超光滑平面拋光技