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更新時間：2025.01.05
基于超聲波的功率半導(dǎo)體高溫封裝技術(shù)介紹

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基于超聲波的功率半導(dǎo)體高溫封裝技術(shù)介紹 作者：張曹 天津愛沐陽光科技 一、行業(yè)背景 以碳化硅（ SiC）和氮化鎵（ GaN）為代表的第三代功率半導(dǎo)體材料，是近些 年發(fā)展起來的新型半導(dǎo)體材料， 具有更寬的禁帶寬度、 更好的熱導(dǎo)率， 更適合當(dāng) 前高功率器件的需要。 但高功率、高壓的功率器件或模塊會帶來一個芯片散熱的問題。 現(xiàn)有的封裝 技術(shù)是基于鉛基合金， 如典型的 92.5Pb/5Sn/2.5Ag合金，在真空共晶爐中實現(xiàn)芯 片與陶瓷電路板的貼片封裝，很難滿足散熱與耐熱沖擊要求，主要原因如下： （1）鉛基合金的熱導(dǎo)率僅為 30-40W/m.k 左右，耐溫僅到 250℃ （3）鉛基合金還存在含鉛、高污染問題。 因此耐高溫、無鉛化的貼片封裝技術(shù)一直是業(yè)內(nèi)的研發(fā)重點。 一個技術(shù)路線是納米銀漿，使用納米級的銀粉末可以低溫融化的特點，在 200-300℃左右燒結(jié)，在芯片與陶瓷電路板之間形成一個導(dǎo)熱的銀層，

半模基片集成波導(dǎo)(HMSIW)三分貝功率分配器

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基片集成波導(dǎo)(SIW)具有損耗低、性能好、易于集成等優(yōu)點,作為一種新型的導(dǎo)波技術(shù)已經(jīng)被廣泛地用于微波與毫米波電路。但是對于微波低頻段,基片集成波導(dǎo)器件的尺寸偏大。最近,一種新的導(dǎo)波結(jié)構(gòu)——半?；刹▽?dǎo)(HMSIW)被提出。與基片集成波導(dǎo)相比,半?；刹▽?dǎo)保留了基片集成波導(dǎo)的優(yōu)點,同時在尺寸上縮小近一半,損耗也更低。本文提出了兩種結(jié)合半?；刹▽?dǎo)與基片集成波導(dǎo)技術(shù)的三分貝功率分配器,仿真結(jié)果與實驗結(jié)果一致。

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