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不需要添加任何催化劑,直接在含有少量Ni和Cr成分的不銹鋼襯底上,用微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)方法沉積碳納米管薄膜.在SEM下觀察,生成的碳納米管取向無序,但濃度大、雜質(zhì)含量少、直徑小且分布均勻,其直徑在50-60nm,為多壁碳納米管.Raman光譜實(shí)驗(yàn)證實(shí)了此碳納米管中存在大量缺陷.場發(fā)射實(shí)驗(yàn)表明,本樣品的開啟電壓低,電子發(fā)射均勻,發(fā)射電流大.當(dāng)用ITO玻璃作陽極且場強(qiáng)為11 V/μm時,電流密度可達(dá)到31 mA/cm2;當(dāng)用熒光粉包覆的ITO玻璃作陽極且場強(qiáng)為6 V/μm時,電流密度可達(dá)到1.25 mA/cm2,這時的電子可穩(wěn)定發(fā)射,使該樣品變成良好的電子發(fā)射體.