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更新時(shí)間：2025.01.05
跨導(dǎo)運(yùn)算放大器及其Spice電路模型的構(gòu)建

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山東科技大學(xué)工程碩士學(xué)位論文 跨導(dǎo)運(yùn)算放大器及其 Spice電路模型的構(gòu)建 2.1 CMOS 模擬集成電路基本單元 2.1.1 MOS 場(chǎng)效應(yīng)管的基本結(jié)構(gòu) 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管又叫作 MOS 場(chǎng)效應(yīng)管，意為金屬 -氧化物 -半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。圖 2.1 為 MOS 場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)。圖中的 N型硅襯底是雜質(zhì)濃度低的 N型硅薄片。 在它上面再制作兩個(gè)相距很近的 P區(qū)，分別引為漏極和源極， 而由金屬鋁構(gòu)成的柵極則 是通過(guò)二氧化硅絕緣層與 N型襯底及 P型區(qū)隔離。這也是絕緣柵 MOS 場(chǎng)效應(yīng)管名稱的 由來(lái)。因?yàn)闁艠O與其它電極隔離， 所以柵極是利用感應(yīng)電荷的多少來(lái)改變導(dǎo)電溝道去控 制漏源電流的。 MOS場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)電溝道由半導(dǎo)體表面場(chǎng)效應(yīng)形成。 柵極加有負(fù)電壓， 而 N 型襯底加有正電壓。由于鋁柵極和 N型襯底間電場(chǎng)的作用，使絕緣層下面的 N 型 襯底表面的電子被排斥，而帶正電的空穴被吸引到表面上

LTCC微波帶通濾波器集總電路模型研究

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通過(guò)引入不同的導(dǎo)納變換器,提出了基于LTCC(low temperature cofired ceramics)技術(shù)的電容性耦合、電感性耦合、電容-電感混合耦合的微波帶通濾波器集總電路模型,每一種模型都給出了具體的設(shè)計(jì)公式。從理論上分析了三種模型各自的優(yōu)缺點(diǎn),并用電路仿真軟件ADS進(jìn)行驗(yàn)證,為集總參數(shù)元件微波帶通濾波器的電磁仿真和實(shí)際制作提供了理論依據(jù)。

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