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通過對電容套管介質(zhì)損耗試驗,我們能夠有效地發(fā)現(xiàn)因電容套管制造工藝不良或末屏斷裂而引起的內(nèi)部局部放電缺陷,及早地避免因絕緣缺陷而引發(fā)的套管爆炸事故,介質(zhì)損耗試驗中通常會遇到電容量Cx及介質(zhì)損值tgδ的異常變化,文章針對主絕緣介損值變化異常,而電容量變化不顯著的問題進行分析及處理,有效的判斷出是末屏小套管銹蝕引起的介質(zhì)損耗測試數(shù)據(jù)異常,建議對電容套管的末屏絕緣狀況引起關注。
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