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提出了一種共光路外差干涉測(cè)量模擬磁頭磁盤靜態(tài)間隙的方法,該方法以低頻差橫向塞曼雙頻激光器作為光源,采用專門設(shè)計(jì)的雙折射透鏡分光和相位測(cè)量技術(shù),實(shí)現(xiàn)了對(duì)光波半波長(zhǎng)的3600細(xì)分,從而使測(cè)量分辨率達(dá)到0.1 nm。原理實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該系統(tǒng)在無恒溫的普通實(shí)驗(yàn)室條件下,1 h內(nèi)穩(wěn)定測(cè)量實(shí)驗(yàn)結(jié)果漂移小于4 nm;利用壓電陶瓷(PZT)微動(dòng)工作臺(tái)(步進(jìn)分辨率1 nm)驅(qū)動(dòng)反射鏡(模擬磁頭)產(chǎn)生位移,在1μm范圍內(nèi)與該系統(tǒng)測(cè)量結(jié)果進(jìn)行比對(duì),得到線性相關(guān)系數(shù)優(yōu)于0.9998。
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