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更新時(shí)間:2025.06.07
半導(dǎo)體(電子)及太陽(yáng)能電池材料的多晶硅

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半導(dǎo)體 (電子 )及太陽(yáng)能電池材料的多晶硅 一、概要 1、從鍺到硅 鍺:融點(diǎn) 960℃ 用石英或炭的容器來(lái)熔化。 硅:融點(diǎn) 1420℃ 炭和石英反應(yīng)生成。(沸點(diǎn): 2355℃) 最初半導(dǎo)體的產(chǎn)生從生產(chǎn)使用方便的鍺材料開始的, 隨著技術(shù)進(jìn)步,開始使用了特別顯 著性質(zhì)的硅(從 1965年的硅的生產(chǎn)量超過(guò)了鍺的生產(chǎn)量) ,用于太陽(yáng)能電池就從這時(shí)開始的。 2、硅的特性 半導(dǎo)體:導(dǎo)體、絕緣物的中間導(dǎo)電物。 導(dǎo)電:有 P型與 N 型。根據(jù)溫度有所變化, P型 N 型的結(jié)合。(P 型:空穴; N 型:電 子) 常溫下,本征半導(dǎo)體硅的電導(dǎo)率是 230000Ω·cm,1100℃時(shí)為 0.01Ω·cm.純度為 9個(gè) 9 時(shí)為 100Ω·cm,10個(gè) 9時(shí)為 1000Ω·cm。所含雜質(zhì)越多,導(dǎo)電性越好。 3、高純度多晶硅的技術(shù)變化 進(jìn)入 1950年開始工業(yè)性生產(chǎn)(美國(guó) Du-pont)日本是從進(jìn)入 1960年代

半導(dǎo)體(電子)及太陽(yáng)能電池材料多晶硅

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半導(dǎo)體 (電子 )及太陽(yáng)能電池材料的多晶硅 一、概要 1、從鍺到硅 鍺:融點(diǎn) 960℃ 用石英或炭的容器來(lái)熔化。 硅:融點(diǎn) 1420℃ 炭和石英反應(yīng)生成。(沸點(diǎn): 2355℃) 最初半導(dǎo)體的產(chǎn)生從生產(chǎn)使用方便的鍺材料開始的, 隨著技術(shù)進(jìn)步,開始使用了特別顯 著性質(zhì)的硅(從 1965年的硅的生產(chǎn)量超過(guò)了鍺的生產(chǎn)量) ,用于太陽(yáng)能電池就從這時(shí)開始的。 2、硅的特性 半導(dǎo)體:導(dǎo)體、絕緣物的中間導(dǎo)電物。 導(dǎo)電:有 P型與 N 型。根據(jù)溫度有所變化, P型 N 型的結(jié)合。(P 型:空穴; N 型:電 子) 常溫下,本征半導(dǎo)體硅的電導(dǎo)率是 230000Ω·cm,1100℃時(shí)為 0.01Ω·cm.純度為 9個(gè) 9 時(shí)為 100Ω·cm,10個(gè) 9時(shí)為 1000Ω·cm。所含雜質(zhì)越多,導(dǎo)電性越好。 3、高純度多晶硅的技術(shù)變化 進(jìn)入 1950年開始工業(yè)性生產(chǎn)(美國(guó) Du-pont)日本是從進(jìn)入 1960年代

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