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為了抑制三相開關(guān)電源注入電網(wǎng)的電磁干擾(EMI),提出了三相EMI濾波器的設(shè)計方法。構(gòu)建了三相共模、差模濾波器的理想等效電路,并分析了高頻對理想等效電路的影響;確定了基于參數(shù)矩陣的插入損耗表達式,并在理想和高頻情況下,分別推導出共模、差模濾波器的參數(shù)矩陣。根據(jù)電網(wǎng)側(cè)負載阻抗和開關(guān)電源側(cè)源阻抗的特性,分析了插入損耗與頻率的關(guān)系;由于高導軟磁鐵氧體具有旋磁頻率極限和非線性磁滯回線,分析了二者對共模電感的抑制作用和共模插入損耗的影響。根據(jù)相關(guān)標準及抑制效果要求,確定三相EMI濾波器的參數(shù)。實驗結(jié)果表明:插入三相EMI濾波器后,開關(guān)電源的噪聲峰值得到約21 d B的抑制。
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為了抑制三相開關(guān)電源注入電網(wǎng)的電磁干擾(EMI),提出了三相EMI濾波器的設(shè)計方法。構(gòu)建了三相共模、差模濾波器的理想等效電路,并分析了高頻對理想等效電路的影響;確定了基于參數(shù)矩陣的插入損耗表達式,并在理想和高頻情況下,分別推導出共模、差模濾波器的參數(shù)矩陣。根據(jù)電網(wǎng)側(cè)負載阻抗和開關(guān)電源側(cè)源阻抗的特性,分析了插入損耗與頻率的關(guān)系;由于高導軟磁鐵氧體具有旋磁頻率極限和非線性磁滯回線,分析了二者對共模電感的抑制作用和共模插入損耗的影響。根據(jù)相關(guān)標準及抑制效果要求,確定三相EMI濾波器的參數(shù)。實驗結(jié)果表明:插入三相EMI濾波器后,開關(guān)電源的噪聲峰值得到約21 d B的抑制。
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