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光電探測(cè)器件-光電子探測(cè)成像器件的設(shè)計(jì)
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回顧了近10年基于半導(dǎo)體中量子限制效應(yīng)紅外探測(cè)器的進(jìn)展.主要關(guān)注的是二維限制結(jié)構(gòu),即量子阱結(jié)構(gòu),形成的區(qū)別與傳統(tǒng)紅外光子探測(cè)的子帶躍遷機(jī)理.在紅外光電子領(lǐng)域作為新族的量子阱紅外探測(cè)器(quantum well infrared photo-detector,QWIP)與最典型的紅外探測(cè)器代表碲鎘汞紅外探測(cè)器進(jìn)行了各自特色的分析,包括基本工作機(jī)理和材料與器件的制備技術(shù)等方面.對(duì)于QWIP發(fā)展的回顧提升了與碲鎘汞紅外探測(cè)器之間的互補(bǔ)關(guān)系.也給出了對(duì)于QWIP在未來(lái)發(fā)展方面的基本趨勢(shì).
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