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在薄膜凹印質(zhì)量損耗的分類中,套印誤差超標(biāo)是個大問題。GB/T7707-2008《凹版裝潢印刷品》規(guī)定:對于雙向拉伸類薄膜,主要部位套印允許誤差≤0.20mm,次要部位套印允許誤差≤0.35mm;對于非雙向拉伸類薄膜,主要部位套印允許誤差≤0.30mm,次要部位套印允許誤差≤0.60mm。同修改前的舊國標(biāo)相比,現(xiàn)行國標(biāo)將原標(biāo)準(zhǔn)中"主要部位套印允許誤差≤0.30mm,次要部位套印允許誤差≤0.60mm"的條款細(xì)分為兩種薄膜,并分別按國內(nèi)凹印界的現(xiàn)行水平作了規(guī)定。
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研制了酞菁鈀 PVC膜硫氰酸根離子選擇性電極。在B.R緩沖體系(pH2.5)中,電極對SCN-離子響應(yīng)的線性范圍為1.0×10-5～0.1mol·L-1,檢出限為7.28×10-6mol·L-1,斜率為56±1mV,電極具有良好的選擇性和穩(wěn)定性。用于印染廠廢水中SCN-的測定,結(jié)果滿意。
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