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更新時間：2024.12.28
電流型GaN輻射探測器研制

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采用大面積半絕緣型GaN(semi-insulting GaN,SI-GaN)晶體制備了電流型GaN輻射探測器,研究了探測器伏安(I-V)特性、γ射線響應(yīng)特性、靈敏度、電荷收集效率、脈沖響應(yīng)等物理性能。結(jié)果表明,晶體表面與金屬形成了良好的歐姆接觸,探測器在600V偏壓下暗電流低于400pA,電荷收集效率高于40%,探測器脈沖響應(yīng)時間在ns量級。

電流型銀激活探測器標(biāo)定技術(shù)

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為測量DPF脈沖中子產(chǎn)額,設(shè)計了電流型銀激活探測器。該探測器由中子慢化體、天然銀片、塑料閃爍體和光電倍增管組成。定義了該探測器測量DPF快脈沖中子產(chǎn)額時的探測靈敏度。采用高壓倍加器穩(wěn)態(tài)中子源對電流型銀激活探測器的探測靈敏度進(jìn)行了標(biāo)定。穩(wěn)態(tài)中子源的絕對中子產(chǎn)額由伴隨粒子法給出。通過計算機(jī)自動記錄探測器在飽和照射后其輸出電流隨時間的變化曲線,通過分析變化曲線求解特征參數(shù),進(jìn)而得到電流型銀激活探測器在距離14MeV脈沖中子源1m處時的探測靈敏度為1.843×109nA-1。在包含因子k為2時,探測靈敏度的擴(kuò)展不確定度小于17.5%。

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