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更新時(shí)間：2024.12.29
基于紫外光刻的微納光纖布喇格光柵研究

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介紹紫外光刻法制作微納光纖布喇格光柵(MF-BG)的制作工藝,測(cè)量并分析不同直徑的微納光纖布喇格光柵的反射譜。數(shù)據(jù)表明隨著微納光纖的直徑變小,光纖光柵的中心波長(zhǎng)藍(lán)移且反射強(qiáng)度也隨之減小。仿真計(jì)算微納光纖的有效折射率和光纖纖芯的束縛能力(即基模分布在纖芯的能量與基模全部能量的比值),來(lái)解釋上述變化。

厚鋁芯片制造工藝的光刻對(duì)準(zhǔn)效果改善

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對(duì)于厚鋁芯片的制造工藝,由于光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記上覆蓋了厚的鋁層,對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形貌輪廓會(huì)變得模糊,這會(huì)導(dǎo)致光刻對(duì)準(zhǔn)出現(xiàn)困難,對(duì)偏的問(wèn)題將變得常見(jiàn)。為了解決此問(wèn)題,提出了多種改善方法,首先采用疊加標(biāo)記法,通過(guò)將不同層次的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行疊加,增大了標(biāo)記的臺(tái)階,對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的輪廓變得比原來(lái)清晰。其次是局部濺射法,通過(guò)夾具保護(hù)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,確保標(biāo)記不被厚鋁覆蓋,因此厚鋁將不會(huì)對(duì)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記產(chǎn)生任何影響。最后是剝離工藝法,通過(guò)光刻膠保護(hù)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,使之不被厚鋁覆蓋,因此,對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形貌將會(huì)保持清晰。這些方法在工藝和原理上是不同的,它們適用于不同的環(huán)境。通過(guò)這些方法,基本可以解決厚鋁工藝中光刻對(duì)準(zhǔn)困難的問(wèn)題。

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