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用MCNP4C程序模擬了日本研制的KTA-304含硼鋼對0.025eV、1eV、1keV慢中子衰減吸收性能,并與傳統(tǒng)的SUS304鋼進(jìn)行對比。在充分考慮生產(chǎn)加工條件及材料的防腐蝕性、熱延性等因素下比較得出,硼濃度在1.13%左右的含硼鋼具有較好的慢中子吸收能力,可有效降低次級γ射線效應(yīng),在達(dá)到輻射防護(hù)要求下可減少材料厚度。計(jì)算了不同含硼濃度下含硼鋼對不同能量慢中子的衰減系數(shù),為中子屏蔽材料的選擇提供了合理依據(jù)。另外,還考慮了對中子俘獲過程中放出γ射線的防護(hù)。
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以單電子晶體管為研究對象,系統(tǒng)闡述了庫侖阻塞、庫侖臺階、單電子隧穿等物理現(xiàn)象的產(chǎn)生機(jī)理。微觀模擬與宏觀建模相結(jié)合,著重介紹了如何用蒙特卡羅方法和Matlab相結(jié)合對上述各種物理現(xiàn)象進(jìn)行數(shù)值模擬,同時對單電子晶體管進(jìn)行宏觀電路等效,用一些常用元器件進(jìn)行宏觀建模。采用強(qiáng)大的模擬集成電路軟件Hspice進(jìn)行分析模擬,大大減少了計(jì)算及仿真時間。通過分析比較,兩者曲線得到了較好的吻合,直觀地反映了單電子晶體管的電學(xué)特性,為進(jìn)一步研究復(fù)雜系統(tǒng)提供了理論依據(jù)。
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