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更新時(shí)間：2024.12.28
雙殼層ZnO/CdSe/CdTe納米電纜陣列的光伏應(yīng)用

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以ZnO納米棒陣列作為核,通過(guò)電化學(xué)沉積方法成功制備了致密的單殼層或者雙殼層ZnO/CdTe/CdSe,ZnO/CdTe和ZnO/CdSe納米電纜陣列光電極。對(duì)于ZnO/CdSe/CdTe納米電纜陣列,有序且具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)的CdSe和CdTe納米殼層的厚度分別為10-20nm和7-15nm,兩者之間形成了連續(xù)致密的界面層。利用未接觸之前體材料之間的能帶偏移和接觸之后費(fèi)米能級(jí)的調(diào)整,對(duì)于雙殼層納米電纜陣列,推導(dǎo)出在CdSe/CdTe和CdTe/CdSe界面的能級(jí)調(diào)校。對(duì)比在ZnO/CdTe/CdSe納米電纜中CdTe/CdSe界面之間形成的負(fù)能帶偏壓-0.16eV,對(duì)于ZnO/CdSe/CdTe納米電纜,CdTe的能帶在CdSe的能帶之上,因而在CdSe/CdTe界面之間成了0.16eV的正導(dǎo)帶偏壓。這樣一個(gè)階梯式的能帶排列以及質(zhì)密的界面接觸,不僅使納米電纜沿著徑2向具有很少的晶界,同時(shí)沿軸向電子傳輸速率得到加快。因此,在45mW/cm的AM1.5G模擬光照2下,ZnO/CdSe/CdTe納米電纜陣列光電極的飽和光電流密度高達(dá)~14.3mA/cm,明顯高于ZnO/CdTe/CdSe,ZnO/CdSe和ZnO/CdTe納米電纜陣列。

納米材料中的明星——碳納米管

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本文介紹碳納米管的發(fā)現(xiàn)、制備，以及它的性能和應(yīng)用。

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