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MEMS器件、保護電路、空間太陽電池等的制作需要使用硅雙面拋光片,并且要求拋光片的厚度很薄,傳統(tǒng)的硅拋光片加工工藝已經(jīng)不能滿足這一要求。介紹了一種用于超薄硅單晶雙面拋光片加工的拋光工藝方法。通過對硅片拋光機理[1]、拋光方式、拋光工藝的研究和對拋光工藝試驗結(jié)果的分析,解決了超薄硅單晶雙面拋光片在加工過程中碎片率高、拋光片背面表面質(zhì)量不易控制的技術(shù)難題,研制出了高質(zhì)量的超薄硅單晶雙面拋光片。
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本文將對比花崗巖石材干磨拋光片與其他石材處理方法的優(yōu)劣，詳細說明其在建設(shè)工程領(lǐng)域的應(yīng)用。通過對比分析，幫助讀者了解花崗巖石材干磨拋光片的特點和適用場景。
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